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NDH832P - 

MOSFET P-CH 20V 4.2A SSOT-8

  • 已过时的产品。
Fairchild/ON Semiconductor NDH832P
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
NDH832P
仓库库存编号:
NDH832P-ND
描述:
MOSFET P-CH 20V 4.2A SSOT-8
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 P 沟道 20V 4.2A(Ta) 1.8W(Ta) SuperSOT?-8
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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NDH832P产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-SMD,鸥翼型  
  制造商  Fairchild/ON Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  带卷(TR)   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  SuperSOT?-8  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  -8V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  30nC @ 4.5V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  60 毫欧 @ 4.2A,4.5V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  2.7V,4.5V  
  FET 类型  P 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  4.2A(Ta)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  1000pF @ 10V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  1V @ 250μA  
  功率耗散(最大值)  1.8W(Ta)  
  漏源电压(Vdss)  20V  
关键词         

产品资料
标准包装 3,000

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