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• 不提供增值包装；备有另选包装。

产品规格

封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
制造商	Fairchild/ON Semiconductor
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	已不再提供
供应商器件封装	D-Pak
晶体管类型	PNP - 达林顿
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	1000 @ 2A，3V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	100V
Power - Max	1.75W
电流 - 集电极截止（最大值）	20μA
Current - Collector (Ic) (Max)	2A
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	3V @ 40mA，4A
频率 - 跃迁	25MHz
关键词

产品资料

数据列表	KSH117
标准包装	1
其它名称	KSH117TFCT

封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63   制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor   安装类型 表面贴装  Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Fairchild/ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 剪切带（CT）   Fairchild/ON Semiconductor 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）   Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态  已不再提供  Fairchild/ON Semiconductor 零件状态  已不再提供  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态  已不再提供  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态  已不再提供   供应商器件封装 D-Pak  Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 D-Pak  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 D-Pak  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 D-Pak   晶体管类型 PNP - 达林顿  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管类型 PNP - 达林顿  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP - 达林顿  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP - 达林顿   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 1000 @ 2A，3V  Fairchild/ON Semiconductor 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 1000 @ 2A，3V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 1000 @ 2A，3V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 1000 @ 2A，3V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V  Fairchild/ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V   Power - Max 1.75W  Fairchild/ON Semiconductor Power - Max 1.75W  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 1.75W  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 1.75W   电流 - 集电极截止（最大值） 20μA  Fairchild/ON Semiconductor 电流 - 集电极截止（最大值） 20μA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 20μA  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 20μA   Current - Collector (Ic) (Max) 2A  Fairchild/ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 2A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 2A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 2A   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 3V @ 40mA，4A  Fairchild/ON Semiconductor 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 3V @ 40mA，4A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 3V @ 40mA，4A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 3V @ 40mA，4A   频率 - 跃迁 25MHz  Fairchild/ON Semiconductor 频率 - 跃迁 25MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 25MHz  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 25MHz