KSC1393YTA,Fairchild/ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
>
KSC1393YTA
KSC1393YTA -
TRANSISTOR NPN 30V 20MA TO-92
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor
制造商产品编号:
KSC1393YTA
仓库库存编号:
KSC1393YTA-ND
描述:
TRANSISTOR NPN 30V 20MA TO-92
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
RF Transistor NPN 30V 20mA 700MHz 250mW Through Hole TO-92-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
KSC1393YTA产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
制造商
Fairchild/ON Semiconductor
安装类型
通孔
工作温度
150°C(TJ)
系列
-
包装
带盒(TB)
零件状态
过期
供应商器件封装
TO-92-3
晶体管类型
NPN
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
90 @ 2mA,10V
频率 - 跃迁
700MHz
功率 - 最大值
250mW
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
20mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
30V
增益
20dB ~ 24dB
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值)
2dB ~ 3dB @ 200MHz
关键词
产品资料
标准包装
2,000
KSC1393YTA相关搜索
封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
制造商 Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
安装类型 通孔
Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 通孔
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 通孔
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 通孔
工作温度 150°C(TJ)
Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 150°C(TJ)
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 150°C(TJ)
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 150°C(TJ)
系列 -
Fairchild/ON Semiconductor 系列 -
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -
包装 带盒(TB)
Fairchild/ON Semiconductor 包装 带盒(TB)
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 带盒(TB)
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 带盒(TB)
零件状态 过期
Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 过期
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 过期
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 过期
供应商器件封装 TO-92-3
Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-92-3
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 TO-92-3
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 TO-92-3
晶体管类型 NPN
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管类型 NPN
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 90 @ 2mA,10V
Fairchild/ON Semiconductor 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 90 @ 2mA,10V
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 90 @ 2mA,10V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 90 @ 2mA,10V
频率 - 跃迁 700MHz
Fairchild/ON Semiconductor 频率 - 跃迁 700MHz
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 700MHz
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 700MHz
功率 - 最大值 250mW
Fairchild/ON Semiconductor 功率 - 最大值 250mW
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 250mW
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 250mW
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 20mA
Fairchild/ON Semiconductor 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 20mA
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 20mA
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 20mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 30V
Fairchild/ON Semiconductor 电压 - 集射极击穿(最大值) 30V
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿(最大值) 30V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿(最大值) 30V
增益 20dB ~ 24dB
Fairchild/ON Semiconductor 增益 20dB ~ 24dB
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 20dB ~ 24dB
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 20dB ~ 24dB
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) 2dB ~ 3dB @ 200MHz
Fairchild/ON Semiconductor 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) 2dB ~ 3dB @ 200MHz
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) 2dB ~ 3dB @ 200MHz
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) 2dB ~ 3dB @ 200MHz
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号