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产品规格

封装/外壳	TO-220-3
制造商	Fairchild/ON Semiconductor
安装类型	通孔
工作温度	-40°C ~ 175°C（TJ）
系列	EcoSPARK?
包装	管件
零件状态	过期
供应商器件封装	TO-220AB
输入类型	逻辑
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	360V
Power - Max	150W
Current - Collector (Ic) (Max)	21A
测试条件	300V，1 千欧，5V
开关能量	-
IGBT 类型	-
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	1.6V @ 4V，6A
25°C 时 Td（开/关）值	-/4.8μs
栅极电荷	17nC
关键词

产品资料

标准包装	400

封装/外壳 TO-220-3  Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 TO-220-3  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3   制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor   安装类型 通孔  Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）   系列 EcoSPARK?  Fairchild/ON Semiconductor 系列 EcoSPARK?  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 EcoSPARK?  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 EcoSPARK?   包装 管件   Fairchild/ON Semiconductor 包装 管件   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件   Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 过期  Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 过期  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 过期  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 TO-220AB  Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-220AB  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220AB  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220AB   输入类型 逻辑  Fairchild/ON Semiconductor 输入类型 逻辑  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 逻辑  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 逻辑   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 360V  Fairchild/ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 360V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 360V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 360V   Power - Max 150W  Fairchild/ON Semiconductor Power - Max 150W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 150W  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 150W   Current - Collector (Ic) (Max) 21A  Fairchild/ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 21A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 21A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 21A   测试条件 300V，1 千欧，5V  Fairchild/ON Semiconductor 测试条件 300V，1 千欧，5V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 300V，1 千欧，5V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 300V，1 千欧，5V   开关能量 -  Fairchild/ON Semiconductor 开关能量 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 -   IGBT 类型 -  Fairchild/ON Semiconductor IGBT 类型 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.6V @ 4V，6A  Fairchild/ON Semiconductor 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.6V @ 4V，6A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.6V @ 4V，6A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.6V @ 4V，6A   25°C 时 Td（开/关）值 -/4.8μs  Fairchild/ON Semiconductor 25°C 时 Td（开/关）值 -/4.8μs  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 -/4.8μs  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 -/4.8μs   栅极电荷 17nC  Fairchild/ON Semiconductor 栅极电荷 17nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 17nC  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 17nC