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FQPF4N20L
FQPF4N20L -
MOSFET N-CH 200V 3A TO-220F
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor
制造商产品编号:
FQPF4N20L
仓库库存编号:
FQPF4N20L-ND
描述:
MOSFET N-CH 200V 3A TO-220F
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 200V 3A(Tc) 27W(Tc) TO-220F
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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FQPF4N20L产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-220-3 整包
制造商
Fairchild/ON Semiconductor
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
QFET?
包装
管件
零件状态
过期
供应商器件封装
TO-220F
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
5.2nC @ 5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
1.35 欧姆 @ 1.5A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
5V,10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
3A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
310pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250μA
功率耗散(最大值)
27W(Tc)
漏源电压(Vdss)
200V
关键词
产品资料
标准包装
50
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封装/外壳 TO-220-3 整包
Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 TO-220-3 整包
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3 整包
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3 整包
制造商 Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
安装类型 通孔
Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 通孔
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 通孔
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工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
系列 QFET?
Fairchild/ON Semiconductor 系列 QFET?
晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 QFET?
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包装 管件
Fairchild/ON Semiconductor 包装 管件
晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 管件
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零件状态 过期
Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 过期
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 过期
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供应商器件封装 TO-220F
Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-220F
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220F
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220F
技术 MOSFET(金属氧化物)
Fairchild/ON Semiconductor 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值) ±20V
Fairchild/ON Semiconductor Vgs(最大值) ±20V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.2nC @ 5V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.2nC @ 5V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.2nC @ 5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.35 欧姆 @ 1.5A,10V
Fairchild/ON Semiconductor 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.35 欧姆 @ 1.5A,10V
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驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V
Fairchild/ON Semiconductor 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V
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FET 类型 N 沟道
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3A(Tc)
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 310pF @ 25V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 310pF @ 25V
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FET 功能 -
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA
功率耗散(最大值) 27W(Tc)
Fairchild/ON Semiconductor 功率耗散(最大值) 27W(Tc)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 27W(Tc)
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 27W(Tc)
漏源电压(Vdss) 200V
Fairchild/ON Semiconductor 漏源电压(Vdss) 200V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 200V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 200V
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