FJV4101RMTF,Fairchild/ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置
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FJV4101RMTF - 

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

  • 零件状态:过时;购买截止日期:11-19-2017。可能有最低购买数量。
Fairchild/ON Semiconductor FJV4101RMTF
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
FJV4101RMTF
仓库库存编号:
FJV4101RMTFCT-ND
描述:
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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FJV4101RMTF产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-236-3,SC-59,SOT-23-3  
  制造商  Fairchild/ON Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  系列  -  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  上次购买时间  
  供应商器件封装  SOT-23-3(TO-236)  
  晶体管类型  PNP - 预偏压  
  不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)  20 @ 10mA,5V  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  50V  
  Power - Max  200mW  
  电流 - 集电极截止(最大值)  100nA(ICBO)  
  Current - Collector (Ic) (Max)  100mA  
  不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)  300mV @ 500μA,10mA  
  频率 - 跃迁  200MHz  
  电阻器 - 基底(R1)(欧姆)  4.7k  
  电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆)  4.7k  
关键词         

产品资料
数据列表 FJV4101R
Molded Pkg, SUPERSOT, 3 Lead Drawing
标准包装 1
其它名称 FJV4101RMTFCT

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