FJN3308RBU,Fairchild/ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

FJN3308RBU - 

TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3

  • 已过时的产品。
Fairchild/ON Semiconductor FJN3308RBU
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
FJN3308RBU
仓库库存编号:
FJN3308RBU-ND
描述:
TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 300mW Through Hole TO-92-3
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

FJN3308RBU产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)  
  制造商  Fairchild/ON Semiconductor  
  安装类型  通孔  
  系列  -  
  包装  散装   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  TO-92-3  
  晶体管类型  NPN - 预偏压  
  不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)  56 @ 5mA,5V  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  50V  
  Power - Max  300mW  
  电流 - 集电极截止(最大值)  100nA(ICBO)  
  Current - Collector (Ic) (Max)  100mA  
  不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)  300mV @ 500μA,10mA  
  频率 - 跃迁  250MHz  
  电阻器 - 基底(R1)(欧姆)  47k  
  电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆)  22k  
关键词         

产品资料
标准包装 1,000

FJN3308RBU相关搜索

封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)  Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)  晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)   制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 制造商 Fairchild/ON Semiconductor   安装类型 通孔  Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 通孔  晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 安装类型 通孔  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 安装类型 通孔   系列 -  Fairchild/ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 系列 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 系列 -   包装 散装   Fairchild/ON Semiconductor 包装 散装   晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 包装 散装   Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 包装 散装    零件状态 过期  Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 零件状态 过期  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 零件状态 过期   供应商器件封装 TO-92-3  Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-92-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 供应商器件封装 TO-92-3  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 供应商器件封装 TO-92-3   晶体管类型 NPN - 预偏压  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管类型 NPN - 预偏压  晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 晶体管类型 NPN - 预偏压  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 晶体管类型 NPN - 预偏压   不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 56 @ 5mA,5V  Fairchild/ON Semiconductor 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 56 @ 5mA,5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 56 @ 5mA,5V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 56 @ 5mA,5V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V  Fairchild/ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V   Power - Max 300mW  Fairchild/ON Semiconductor Power - Max 300mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 Power - Max 300mW  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 Power - Max 300mW   电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)  Fairchild/ON Semiconductor 电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)  晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)   Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  Fairchild/ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 Current - Collector (Ic) (Max) 100mA   不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 500μA,10mA  Fairchild/ON Semiconductor 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 500μA,10mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 500μA,10mA  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 500μA,10mA   频率 - 跃迁 250MHz  Fairchild/ON Semiconductor 频率 - 跃迁 250MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 频率 - 跃迁 250MHz  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 频率 - 跃迁 250MHz   电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 47k  Fairchild/ON Semiconductor 电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 47k  晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 47k  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 47k   电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 22k  Fairchild/ON Semiconductor 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 22k  晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 22k  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 22k  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号