FGB3040G2_F085,Fairchild/ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

FGB3040G2_F085 - 

IGBT 400V 41A TO263

  • 不提供增值包装；备有另选包装。
Fairchild/ON Semiconductor FGB3040G2_F085
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
FGB3040G2_F085
仓库库存编号：
FGB3040G2_F085CT-ND
描述：
IGBT 400V 41A TO263
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
IGBT Surface Mount D2PAK (TO-263)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

FGB3040G2_F085产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB  
  制造商  Fairchild/ON Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 175°C（TJ）  
  系列  汽车级， AEC-Q101， EcoSPARK?  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态   已不再提供  
  供应商器件封装  D2PAK（TO-263）  
  输入类型  逻辑  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  400V  
  Power - Max  150W  
  Current - Collector (Ic) (Max)  41A  
  测试条件  -  
  开关能量  -  
  IGBT 类型  -  
  不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）  1.25V @ 4V，6A  
  25°C 时 Td（开/关）值  900ns/4.8μs  
  栅极电荷  21nC  
关键词         

产品资料
数据列表 FG(B,D,I,P)3040G2_F085
标准包装 1
其它名称 FGB3040G2_F085CT

FGB3040G2_F085您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

FGB3040G2_F085相关搜索

封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB  Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB   制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor   安装类型 表面贴装  Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）   系列 汽车级， AEC-Q101， EcoSPARK?  Fairchild/ON Semiconductor 系列 汽车级， AEC-Q101， EcoSPARK?  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 汽车级， AEC-Q101， EcoSPARK?  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 汽车级， AEC-Q101， EcoSPARK?   包装 剪切带（CT）   Fairchild/ON Semiconductor 包装 剪切带（CT）   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）   Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态  已不再提供  Fairchild/ON Semiconductor 零件状态  已不再提供  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态  已不再提供  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态  已不再提供   供应商器件封装 D2PAK（TO-263）  Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 D2PAK（TO-263）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 D2PAK（TO-263）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 D2PAK（TO-263）   输入类型 逻辑  Fairchild/ON Semiconductor 输入类型 逻辑  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 逻辑  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 逻辑   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V  Fairchild/ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V   Power - Max 150W  Fairchild/ON Semiconductor Power - Max 150W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 150W  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 150W   Current - Collector (Ic) (Max) 41A  Fairchild/ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 41A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 41A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 41A   测试条件 -  Fairchild/ON Semiconductor 测试条件 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 -   开关能量 -  Fairchild/ON Semiconductor 开关能量 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 -   IGBT 类型 -  Fairchild/ON Semiconductor IGBT 类型 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.25V @ 4V，6A  Fairchild/ON Semiconductor 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.25V @ 4V，6A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.25V @ 4V，6A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.25V @ 4V，6A   25°C 时 Td（开/关）值 900ns/4.8μs  Fairchild/ON Semiconductor 25°C 时 Td（开/关）值 900ns/4.8μs  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 900ns/4.8μs  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 900ns/4.8μs   栅极电荷 21nC  Fairchild/ON Semiconductor 栅极电荷 21nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 21nC  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 21nC  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号