FDP032N08,Fairchild/ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
>
FDP032N08
FDP032N08 -
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor
制造商产品编号:
FDP032N08
仓库库存编号:
FDP032N08-ND
描述:
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-220AB
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
FDP032N08产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-220-3
制造商
Fairchild/ON Semiconductor
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
PowerTrench?
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-220AB
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
220nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
3.2 毫欧 @ 75A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
120A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
15160pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 250μA
功率耗散(最大值)
375W(Tc)
漏源电压(Vdss)
75V
关键词
产品资料
标准包装
50
FDP032N08您可能还对以下元器件感兴趣
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Texas Instruments
IC MOSFET DRIVR DUAL HS 4A 8SOIC
详细描述:Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC
型号:
UCC27324DR
仓库库存编号:
296-27156-1-ND
别名:296-27156-1
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 263W(Tc) TO-220
型号:
FDP032N08B_F102
仓库库存编号:
FDP032N08B_F102-ND
无铅
搜索
STMicroelectronics
DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V D2PAK
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 10A Surface Mount TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
型号:
STPS2045CG-TR
仓库库存编号:
497-15670-1-ND
别名:497-15670-1
无铅
搜索
ON Semiconductor
IC POT DGTL 50K 256TAP SOT23-8
详细描述:Digital Potentiometer 50k Ohm Circuit 256 Taps I2C Interface SOT-23-8
型号:
CAT5171TBI-50GT3
仓库库存编号:
CAT5171TBI-50GT3OSCT-ND
别名:CAT5171TBI-50GT3OSCT
无铅
搜索
STMicroelectronics
NUCLEO DEV BOARD STM32L452RE
详细描述:STM32L452RE, mbed-Enabled Development Nucleo STM32L4 MCU 32-Bit ARM? Cortex?-M4 Embedded Evaluation Board
型号:
NUCLEO-L452RE
仓库库存编号:
497-17008-ND
别名:497-17008
无铅
搜索
FDP032N08相关搜索
封装/外壳 TO-220-3
Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 TO-220-3
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3
制造商 Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
安装类型 通孔
Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 通孔
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 通孔
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 通孔
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
系列 PowerTrench?
Fairchild/ON Semiconductor 系列 PowerTrench?
晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 PowerTrench?
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 PowerTrench?
包装 管件
Fairchild/ON Semiconductor 包装 管件
晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 管件
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 管件
零件状态 在售
Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 在售
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
供应商器件封装 TO-220AB
Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-220AB
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220AB
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220AB
技术 MOSFET(金属氧化物)
Fairchild/ON Semiconductor 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值) ±20V
Fairchild/ON Semiconductor Vgs(最大值) ±20V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 220nC @ 10V
Fairchild/ON Semiconductor 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 220nC @ 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 220nC @ 10V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 220nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.2 毫欧 @ 75A,10V
Fairchild/ON Semiconductor 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.2 毫欧 @ 75A,10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.2 毫欧 @ 75A,10V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.2 毫欧 @ 75A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
Fairchild/ON Semiconductor 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
FET 类型 N 沟道
Fairchild/ON Semiconductor FET 类型 N 沟道
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc)
Fairchild/ON Semiconductor 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc)
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 15160pF @ 25V
Fairchild/ON Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 15160pF @ 25V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 15160pF @ 25V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 15160pF @ 25V
FET 功能 -
Fairchild/ON Semiconductor FET 功能 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250μA
Fairchild/ON Semiconductor 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250μA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250μA
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250μA
功率耗散(最大值) 375W(Tc)
Fairchild/ON Semiconductor 功率耗散(最大值) 375W(Tc)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 375W(Tc)
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 375W(Tc)
漏源电压(Vdss) 75V
Fairchild/ON Semiconductor 漏源电压(Vdss) 75V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 75V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 75V
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号