FDMS7670,Fairchild/ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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FDMS7670
FDMS7670 -
MOSFET N-CH 30V 21A POWER56
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor
制造商产品编号:
FDMS7670
仓库库存编号:
FDMS7670CT-ND
描述:
MOSFET N-CH 30V 21A POWER56
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 21A(Ta),42A(Tc) 2.5W(Ta),62W(Tc) Power56
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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FDMS7670产品属性
产品规格
封装/外壳
8-PowerTDFN
制造商
Fairchild/ON Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
PowerTrench?
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
Power56
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
56nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
3.8 毫欧 @ 21A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
21A(Ta),42A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
4105pF @ 15V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta),62W(Tc)
漏源电压(Vdss)
30V
关键词
产品资料
数据列表
FDMS7670
标准包装
1
其它名称
FDMS7670CT
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封装/外壳 8-PowerTDFN
Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 8-PowerTDFN
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 8-PowerTDFN
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 8-PowerTDFN
制造商 Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
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安装类型 表面贴装
Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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系列 PowerTrench?
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 PowerTrench?
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包装 剪切带(CT)
Fairchild/ON Semiconductor 包装 剪切带(CT)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
零件状态 在售
Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 在售
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
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供应商器件封装 Power56
Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 Power56
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 Power56
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 Power56
技术 MOSFET(金属氧化物)
Fairchild/ON Semiconductor 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值) ±20V
Fairchild/ON Semiconductor Vgs(最大值) ±20V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V
Fairchild/ON Semiconductor 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.8 毫欧 @ 21A,10V
Fairchild/ON Semiconductor 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.8 毫欧 @ 21A,10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.8 毫欧 @ 21A,10V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.8 毫欧 @ 21A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
Fairchild/ON Semiconductor 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
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FET 类型 N 沟道
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 21A(Ta),42A(Tc)
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4105pF @ 15V
Fairchild/ON Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4105pF @ 15V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4105pF @ 15V
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FET 功能 -
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
Fairchild/ON Semiconductor 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
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功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),62W(Tc)
Fairchild/ON Semiconductor 功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),62W(Tc)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),62W(Tc)
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),62W(Tc)
漏源电压(Vdss) 30V
Fairchild/ON Semiconductor 漏源电压(Vdss) 30V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 30V
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