FDC6301N,Fairchild/ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

FDC6301N - 

MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6

Fairchild/ON Semiconductor FDC6301N
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
FDC6301N
仓库库存编号:
FDC6301NCT-ND
描述:
MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 220mA 700mW Surface Mount SuperSOT?-6
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

FDC6301N产品属性


产品规格
  封装/外壳  SOT-23-6 细型,TSOT-23-6  
  制造商  Fairchild/ON Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SuperSOT?-6  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  0.7nC @ 4.5V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  4 欧姆 @ 400mA,4.5V  
  FET 类型  2 个 N 沟道(双)  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  220mA  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  9.5pF @ 10V  
  FET 功能  逻辑电平门  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  1.5V @ 250μA  
  漏源电压(Vdss)  25V  
  功率 - 最大值  700mW  
关键词         

产品资料
数据列表 FDC6301N
PCN 封装 Binary Year Code Marking 15/Jan/2014
标准包装 1
其它名称 FDC6301NCT

FDC6301N您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

FDC6301N相关搜索

封装/外壳 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6  Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 封装/外壳 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 封装/外壳 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6   制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 Fairchild/ON Semiconductor   安装类型 表面贴装  Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)   系列 -  Fairchild/ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 系列 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 系列 -   包装 剪切带(CT)   Fairchild/ON Semiconductor 包装 剪切带(CT)   晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 包装 剪切带(CT)   Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 包装 剪切带(CT)    零件状态 在售  Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 在售  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 零件状态 在售  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 SuperSOT?-6  Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 SuperSOT?-6  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 供应商器件封装 SuperSOT?-6  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 供应商器件封装 SuperSOT?-6   不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 0.7nC @ 4.5V  Fairchild/ON Semiconductor 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 0.7nC @ 4.5V  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 0.7nC @ 4.5V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 0.7nC @ 4.5V   不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 4 欧姆 @ 400mA,4.5V  Fairchild/ON Semiconductor 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 4 欧姆 @ 400mA,4.5V  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 4 欧姆 @ 400mA,4.5V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 4 欧姆 @ 400mA,4.5V   FET 类型 2 个 N 沟道(双)  Fairchild/ON Semiconductor FET 类型 2 个 N 沟道(双)  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道(双)  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道(双)   电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 220mA  Fairchild/ON Semiconductor 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 220mA  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 220mA  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 220mA   不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 9.5pF @ 10V  Fairchild/ON Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 9.5pF @ 10V  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 9.5pF @ 10V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 9.5pF @ 10V   FET 功能 逻辑电平门  Fairchild/ON Semiconductor FET 功能 逻辑电平门  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门   不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250μA  Fairchild/ON Semiconductor 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250μA  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250μA  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250μA   漏源电压(Vdss) 25V  Fairchild/ON Semiconductor 漏源电压(Vdss) 25V  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 漏源电压(Vdss) 25V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 漏源电压(Vdss) 25V   功率 - 最大值 700mW  Fairchild/ON Semiconductor 功率 - 最大值 700mW  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 700mW  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 700mW  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号