EPC2106ENGRT,EPC,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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EPC2106ENGRT - 

TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE

  • 该零件为工程样品,未经过完全测试。 该零件仅限于功能评估和概念验证,不得用于生产或终端应用。
EPC EPC2106ENGRT
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
EPC EPC
制造商产品编号:
EPC2106ENGRT
仓库库存编号:
917-EPC2106ENGRCT-ND
描述:
TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 100V 1.7A Surface Mount Die
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

EPC2106ENGRT产品属性


产品规格
  封装/外壳  模具  
  制造商  EPC  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -40°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  eGaN?  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  模具  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  0.73nC @ 5V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  70 毫欧 @ 2A,5V  
  FET 类型  2 个 N 通道(半桥)  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  1.7A  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  75pF @ 50V  
  FET 功能  GaNFET(氮化镓)  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  2.5V @ 600μA  
  漏源电压(Vdss)  100V  
  功率 - 最大值  -  
关键词         

产品资料
数据列表 EPC2106 Preliminary
标准包装 1
其它名称 917-EPC2106ENGRCT

EPC2106ENGRT配套

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EPC2106ENGRT配用

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