ZVN2120ASTOA,Diodes Incorporated,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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ZVN2120ASTOA
ZVN2120ASTOA -
MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
制造商产品编号:
ZVN2120ASTOA
仓库库存编号:
ZVN2120ASTOA-ND
描述:
MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 200V 180mA(Ta) 700mW(Ta) E-Line(TO-92 兼容)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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ZVN2120ASTOA产品属性
产品规格
封装/外壳
E-Line-3
制造商
Diodes Incorporated
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
过期
供应商器件封装
E-Line(TO-92 兼容)
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
-
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
10 欧姆 @ 250mA,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
180mA(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
85pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3V @ 1mA
功率耗散(最大值)
700mW(Ta)
漏源电压(Vdss)
200V
关键词
产品资料
标准包装
2,000
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封装/外壳 E-Line-3
Diodes Incorporated 封装/外壳 E-Line-3
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 E-Line-3
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 E-Line-3
制造商 Diodes Incorporated
Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Diodes Incorporated
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Diodes Incorporated
安装类型 通孔
Diodes Incorporated 安装类型 通孔
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 通孔
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 通孔
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Diodes Incorporated 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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系列 -
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包装 带卷(TR)
Diodes Incorporated 包装 带卷(TR)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 带卷(TR)
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零件状态 过期
Diodes Incorporated 零件状态 过期
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 过期
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 过期
供应商器件封装 E-Line(TO-92 兼容)
Diodes Incorporated 供应商器件封装 E-Line(TO-92 兼容)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 E-Line(TO-92 兼容)
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 E-Line(TO-92 兼容)
技术 MOSFET(金属氧化物)
Diodes Incorporated 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值) ±20V
Diodes Incorporated Vgs(最大值) ±20V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -
Diodes Incorporated 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 10 欧姆 @ 250mA,10V
Diodes Incorporated 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 10 欧姆 @ 250mA,10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 10 欧姆 @ 250mA,10V
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 10 欧姆 @ 250mA,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
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FET 类型 N 沟道
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 180mA(Ta)
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FET 功能 -
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 1mA
Diodes Incorporated 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 1mA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 1mA
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 1mA
功率耗散(最大值) 700mW(Ta)
Diodes Incorporated 功率耗散(最大值) 700mW(Ta)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 700mW(Ta)
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 700mW(Ta)
漏源电压(Vdss) 200V
Diodes Incorporated 漏源电压(Vdss) 200V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 200V
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 200V
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