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产品规格

封装/外壳	SC-70，SOT-323
制造商	Diodes Incorporated
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	过期
供应商器件封装	SOT-323
二极管类型	1 对共阴极
不同?Vr，F 时的电容	23.1pF @ 2V，1MHz
电容比	6.5
电容比条件	C2/C20
不同 Vr，F 时的 Q 值	200 @ 3V，50MHz
Voltage - Peak Reverse (Max)	25V
关键词

产品资料

标准包装	1
其它名称	ZMDC832BTACT

封装/外壳 SC-70，SOT-323  Diodes Incorporated 封装/外壳 SC-70，SOT-323  二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 封装/外壳 SC-70，SOT-323  Diodes Incorporated 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 封装/外壳 SC-70，SOT-323   制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated  二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 制造商 Diodes Incorporated   安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装  二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Diodes Incorporated 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Diodes Incorporated 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Diodes Incorporated 系列 -  二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 系列 -  Diodes Incorporated 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 系列 -   包装 剪切带（CT）   Diodes Incorporated 包装 剪切带（CT）   二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 包装 剪切带（CT）   Diodes Incorporated 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 包装 剪切带（CT）    零件状态 过期  Diodes Incorporated 零件状态 过期  二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 零件状态 过期  Diodes Incorporated 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 零件状态 过期   供应商器件封装 SOT-323  Diodes Incorporated 供应商器件封装 SOT-323  二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 供应商器件封装 SOT-323  Diodes Incorporated 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 供应商器件封装 SOT-323   二极管类型 1 对共阴极  Diodes Incorporated 二极管类型 1 对共阴极  二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 二极管类型 1 对共阴极  Diodes Incorporated 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 二极管类型 1 对共阴极   不同?Vr，F 时的电容 23.1pF @ 2V，1MHz  Diodes Incorporated 不同?Vr，F 时的电容 23.1pF @ 2V，1MHz  二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 不同?Vr，F 时的电容 23.1pF @ 2V，1MHz  Diodes Incorporated 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 不同?Vr，F 时的电容 23.1pF @ 2V，1MHz   电容比 6.5  Diodes Incorporated 电容比 6.5  二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 电容比 6.5  Diodes Incorporated 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 电容比 6.5   电容比条件 C2/C20  Diodes Incorporated 电容比条件 C2/C20  二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 电容比条件 C2/C20  Diodes Incorporated 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 电容比条件 C2/C20   不同 Vr，F 时的 Q 值 200 @ 3V，50MHz  Diodes Incorporated 不同 Vr，F 时的 Q 值 200 @ 3V，50MHz  二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 不同 Vr，F 时的 Q 值 200 @ 3V，50MHz  Diodes Incorporated 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 不同 Vr，F 时的 Q 值 200 @ 3V，50MHz   Voltage - Peak Reverse (Max) 25V  Diodes Incorporated Voltage - Peak Reverse (Max) 25V  二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） Voltage - Peak Reverse (Max) 25V  Diodes Incorporated 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） Voltage - Peak Reverse (Max) 25V