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产品规格

封装/外壳	SOT-223-8
制造商	Diodes Incorporated
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	过期
供应商器件封装	SM8
晶体管类型	2 PNP 达林顿（双）
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	3000 @ 1A，5V
电流 - 集电极截止（最大值）	10μA
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	2.5V @ 2mA，2A
频率 - 跃迁	160MHz
功率 - 最大值	2.75W
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	1A
电压 - 集射极击穿（最大值）	120V
关键词

产品资料

标准包装	1
其它名称	ZDT705 ZDT705CT

封装/外壳 SOT-223-8  Diodes Incorporated 封装/外壳 SOT-223-8  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 SOT-223-8  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 SOT-223-8   制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Diodes Incorporated   安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Diodes Incorporated 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Diodes Incorporated 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -   包装 剪切带（CT）   Diodes Incorporated 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 剪切带（CT）   Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态 过期  Diodes Incorporated 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 过期  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 过期   供应商器件封装 SM8  Diodes Incorporated 供应商器件封装 SM8  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 SM8  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 SM8   晶体管类型 2 PNP 达林顿（双）  Diodes Incorporated 晶体管类型 2 PNP 达林顿（双）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 2 PNP 达林顿（双）  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 2 PNP 达林顿（双）   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 3000 @ 1A，5V  Diodes Incorporated 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 3000 @ 1A，5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 3000 @ 1A，5V  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 3000 @ 1A，5V   电流 - 集电极截止（最大值） 10μA  Diodes Incorporated 电流 - 集电极截止（最大值） 10μA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 10μA  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 10μA   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 2.5V @ 2mA，2A  Diodes Incorporated 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 2.5V @ 2mA，2A  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 2.5V @ 2mA，2A  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 2.5V @ 2mA，2A   频率 - 跃迁 160MHz  Diodes Incorporated 频率 - 跃迁 160MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 160MHz  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 160MHz   功率 - 最大值 2.75W  Diodes Incorporated 功率 - 最大值 2.75W  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 2.75W  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 2.75W   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 1A  Diodes Incorporated 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 1A  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 1A  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 1A   电压 - 集射极击穿（最大值） 120V  Diodes Incorporated 电压 - 集射极击穿（最大值） 120V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 120V  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 120V