ZC835ATC,Diodes Incorporated,分立半导体产品,二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器)
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ZC835ATC - 

DIODE VAR CAPACITANCE SOT23-3

  • 已过时的产品。
Diodes Incorporated ZC835ATC
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
ZC835ATC
仓库库存编号:
ZC835ATC-ND
描述:
DIODE VAR CAPACITANCE SOT23-3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Varactor Single 25V Surface Mount SOT-23-3
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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ZC835ATC产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-236-3,SC-59,SOT-23-3  
  制造商  Diodes Incorporated  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  带卷(TR)   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  SOT-23-3  
  二极管类型  单一  
  不同?Vr,F 时的电容  74.8pF @ 2V,1MHz  
  电容比  6.5  
  电容比条件  C2/C20  
  不同 Vr,F 时的 Q 值  100 @ 3V,50MHz  
  Voltage - Peak Reverse (Max)  25V  
关键词         

产品资料
标准包装 10,000

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封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3  Diodes Incorporated 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3  二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3  Diodes Incorporated 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3   制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated  二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 制造商 Diodes Incorporated   安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装  二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  Diodes Incorporated 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  Diodes Incorporated 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)   系列 -  Diodes Incorporated 系列 -  二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 系列 -  Diodes Incorporated 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 系列 -   包装 带卷(TR)   Diodes Incorporated 包装 带卷(TR)   二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 包装 带卷(TR)   Diodes Incorporated 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 包装 带卷(TR)    零件状态 过期  Diodes Incorporated 零件状态 过期  二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 零件状态 过期  Diodes Incorporated 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 零件状态 过期   供应商器件封装 SOT-23-3  Diodes Incorporated 供应商器件封装 SOT-23-3  二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 供应商器件封装 SOT-23-3  Diodes Incorporated 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 供应商器件封装 SOT-23-3   二极管类型 单一  Diodes Incorporated 二极管类型 单一  二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 二极管类型 单一  Diodes Incorporated 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 二极管类型 单一   不同?Vr,F 时的电容 74.8pF @ 2V,1MHz  Diodes Incorporated 不同?Vr,F 时的电容 74.8pF @ 2V,1MHz  二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 不同?Vr,F 时的电容 74.8pF @ 2V,1MHz  Diodes Incorporated 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 不同?Vr,F 时的电容 74.8pF @ 2V,1MHz   电容比 6.5  Diodes Incorporated 电容比 6.5  二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 电容比 6.5  Diodes Incorporated 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 电容比 6.5   电容比条件 C2/C20  Diodes Incorporated 电容比条件 C2/C20  二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 电容比条件 C2/C20  Diodes Incorporated 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 电容比条件 C2/C20   不同 Vr,F 时的 Q 值 100 @ 3V,50MHz  Diodes Incorporated 不同 Vr,F 时的 Q 值 100 @ 3V,50MHz  二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 不同 Vr,F 时的 Q 值 100 @ 3V,50MHz  Diodes Incorporated 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 不同 Vr,F 时的 Q 值 100 @ 3V,50MHz   Voltage - Peak Reverse (Max) 25V  Diodes Incorporated Voltage - Peak Reverse (Max) 25V  二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) Voltage - Peak Reverse (Max) 25V  Diodes Incorporated 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) Voltage - Peak Reverse (Max) 25V  
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