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FMMT413TC - 

TRANS NPN 50V 0.1A SOT23-3

  • 已过时的产品。
Diodes Incorporated FMMT413TC
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
FMMT413TC
仓库库存编号:
FMMT413TC-ND
描述:
TRANS NPN 50V 0.1A SOT23-3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Avalanche Mode 50V 100mA 150MHz 330mW Surface Mount SOT-23-3
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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FMMT413TC产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-236-3,SC-59,SOT-23-3  
  制造商  Diodes Incorporated  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  带卷(TR)   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  SOT-23-3  
  晶体管类型  NPN 雪崩模式  
  不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)  50 @ 10mA,10V  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  50V  
  Power - Max  330mW  
  电流 - 集电极截止(最大值)  100nA(ICBO)  
  Current - Collector (Ic) (Max)  100mA  
  不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)  150mV @ 1mA,10mA  
  频率 - 跃迁  150MHz  
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产品资料
数据列表 FMMT413TD
标准包装 10,000

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封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3  Diodes Incorporated 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3   制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Diodes Incorporated   安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  Diodes Incorporated 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)   系列 -  Diodes Incorporated 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 带卷(TR)   Diodes Incorporated 包装 带卷(TR)   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 带卷(TR)   Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 带卷(TR)    零件状态 过期  Diodes Incorporated 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 SOT-23-3  Diodes Incorporated 供应商器件封装 SOT-23-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 SOT-23-3  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 SOT-23-3   晶体管类型 NPN 雪崩模式  Diodes Incorporated 晶体管类型 NPN 雪崩模式  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN 雪崩模式  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN 雪崩模式   不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 50 @ 10mA,10V  Diodes Incorporated 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 50 @ 10mA,10V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 50 @ 10mA,10V  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 50 @ 10mA,10V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V  Diodes Incorporated Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V   Power - Max 330mW  Diodes Incorporated Power - Max 330mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 330mW  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 330mW   电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)  Diodes Incorporated 电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)   Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  Diodes Incorporated Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 100mA   不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 150mV @ 1mA,10mA  Diodes Incorporated 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 150mV @ 1mA,10mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 150mV @ 1mA,10mA  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 150mV @ 1mA,10mA   频率 - 跃迁 150MHz  Diodes Incorporated 频率 - 跃迁 150MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 150MHz  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 150MHz  
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