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DMP3098LQ-7 - 

MOSFET BVDSS: 25V 30V SOT23

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Diodes Incorporated DMP3098LQ-7
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制造商产品编号:
DMP3098LQ-7
仓库库存编号:
DMP3098LQ-7-ND
描述:
MOSFET BVDSS: 25V 30V SOT23
详细描述:
表面贴装 P 沟道 3.8A(Ta) 1.08W(Ta) SOT-23-3
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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DMP3098LQ-7产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-236-3,SC-59,SOT-23-3  
  制造商  Diodes Incorporated  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  汽车级,AEC-Q101  
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SOT-23-3  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  8nC @ 4.5V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  70 毫欧 @ 3.8A,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  4.5V,10V  
  FET 类型  P 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  3.8A(Ta)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  1008pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  2.1V @ 250μA  
  功率耗散(最大值)  1.08W(Ta)  
  漏源电压(Vdss)  30V  
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产品资料
数据列表 DMP3098LQ
标准包装 3,000

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封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3  Diodes Incorporated 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3  晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3  Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3   制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated  晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Diodes Incorporated   安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  Diodes Incorporated 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)   系列 汽车级,AEC-Q101  Diodes Incorporated 系列 汽车级,AEC-Q101  晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 汽车级,AEC-Q101  Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 汽车级,AEC-Q101   零件状态 在售  Diodes Incorporated 零件状态 在售  晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售  Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 SOT-23-3  Diodes Incorporated 供应商器件封装 SOT-23-3  晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 SOT-23-3  Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 SOT-23-3   技术 MOSFET(金属氧化物)  Diodes Incorporated 技术 MOSFET(金属氧化物)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)  Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)   Vgs(最大值) ±20V  Diodes Incorporated Vgs(最大值) ±20V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V  Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V   不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8nC @ 4.5V  Diodes Incorporated 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8nC @ 4.5V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8nC @ 4.5V  Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8nC @ 4.5V   不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 70 毫欧 @ 3.8A,10V  Diodes Incorporated 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 70 毫欧 @ 3.8A,10V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 70 毫欧 @ 3.8A,10V  Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 70 毫欧 @ 3.8A,10V   驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V  Diodes Incorporated 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V  Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V   FET 类型 P 沟道  Diodes Incorporated FET 类型 P 沟道  晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道  Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道   电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.8A(Ta)  Diodes Incorporated 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.8A(Ta)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.8A(Ta)  Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.8A(Ta)   不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1008pF @ 25V  Diodes Incorporated 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1008pF @ 25V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1008pF @ 25V  Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1008pF @ 25V   FET 功能 -  Diodes Incorporated FET 功能 -  晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -  Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250μA  Diodes Incorporated 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250μA  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250μA  Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250μA   功率耗散(最大值) 1.08W(Ta)  Diodes Incorporated 功率耗散(最大值) 1.08W(Ta)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 1.08W(Ta)  Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 1.08W(Ta)   漏源电压(Vdss) 30V  Diodes Incorporated 漏源电压(Vdss) 30V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 30V  Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 30V  
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