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DMN4009LK3-13
DMN4009LK3-13 -
MOSFET N-CH 40V 18A DPAK
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
制造商产品编号:
DMN4009LK3-13
仓库库存编号:
DMN4009LK3-13DICT-ND
描述:
MOSFET N-CH 40V 18A DPAK
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 40V 18A(Ta) 2.19W(Ta) TO-252-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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DMN4009LK3-13产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
制造商
Diodes Incorporated
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
过期
供应商器件封装
TO-252-3
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
21nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
8.5 毫欧 @ 14A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
18A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
2072pF @ 20V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
功率耗散(最大值)
2.19W(Ta)
漏源电压(Vdss)
40V
关键词
产品资料
数据列表
DMN4009LK3
RoHS指令信息
RoHS Cert of Compliance
标准包装
1
其它名称
DMN4009LK3-13DICT
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制造商 Diodes Incorporated
Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Diodes Incorporated
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Diodes Incorporated
安装类型 表面贴装
Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Diodes Incorporated 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
系列 -
Diodes Incorporated 系列 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -
包装 剪切带(CT)
Diodes Incorporated 包装 剪切带(CT)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
零件状态 过期
Diodes Incorporated 零件状态 过期
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 过期
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 过期
供应商器件封装 TO-252-3
Diodes Incorporated 供应商器件封装 TO-252-3
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-252-3
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-252-3
技术 MOSFET(金属氧化物)
Diodes Incorporated 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
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Vgs(最大值) ±20V
Diodes Incorporated Vgs(最大值) ±20V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 4.5V
Diodes Incorporated 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 4.5V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 4.5V
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 8.5 毫欧 @ 14A,10V
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驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
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FET 类型 N 沟道
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Ta)
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2072pF @ 20V
Diodes Incorporated 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2072pF @ 20V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2072pF @ 20V
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FET 功能 -
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
Diodes Incorporated 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
功率耗散(最大值) 2.19W(Ta)
Diodes Incorporated 功率耗散(最大值) 2.19W(Ta)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 2.19W(Ta)
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 2.19W(Ta)
漏源电压(Vdss) 40V
Diodes Incorporated 漏源电压(Vdss) 40V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 40V
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