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DMN30H14DLY-13 - 

MOSFET N-CH 300V .21A SOT-89

  • 增值型包装数量有限,可提供替代形式的包装。
Diodes Incorporated DMN30H14DLY-13
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
DMN30H14DLY-13
仓库库存编号:
DMN30H14DLY-13DICT-ND
描述:
MOSFET N-CH 300V .21A SOT-89
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 210mA(Ta) 900mW(Ta) SOT-89
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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DMN30H14DLY-13产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-243AA  
  制造商  Diodes Incorporated  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态   已不再提供  
  供应商器件封装  SOT-89  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  4nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  14 欧姆 @ 300mA,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  4.5V,10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  210mA(Ta)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  96pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  3V @ 250μA  
  功率耗散(最大值)  900mW(Ta)  
  漏源电压(Vdss)  300V  
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产品资料
数据列表 DMN30H14DLY
标准包装 1
其它名称 DMN30H14DLY-13DICT

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