DMG3414UQ-7,Diodes Incorporated,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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DMG3414UQ-7
DMG3414UQ-7 -
MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT23
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制造商:
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
制造商产品编号:
DMG3414UQ-7
仓库库存编号:
DMG3414UQ-7-ND
描述:
MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT23
详细描述:
表面贴装 N 沟道 4.2A(Ta) 780mW SOT-23-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
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sales@szcwdz.com
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DMG3414UQ-7产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
制造商
Diodes Incorporated
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
汽车级,AEC-Q101
零件状态
在售
供应商器件封装
SOT-23-3
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±8V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
9.6nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
25 毫欧 @ 8.2A,4.5V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
4.2A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
829.9pF @ 10V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 250μA
功率耗散(最大值)
780mW
漏源电压(Vdss)
20V
关键词
产品资料
数据列表
DMG3414UQ
标准包装
3,000
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封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Diodes Incorporated 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
制造商 Diodes Incorporated
Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Diodes Incorporated
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Diodes Incorporated
安装类型 表面贴装
Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Diodes Incorporated 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
系列 汽车级,AEC-Q101
Diodes Incorporated 系列 汽车级,AEC-Q101
晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 汽车级,AEC-Q101
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 汽车级,AEC-Q101
零件状态 在售
Diodes Incorporated 零件状态 在售
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
供应商器件封装 SOT-23-3
Diodes Incorporated 供应商器件封装 SOT-23-3
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 SOT-23-3
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 SOT-23-3
技术 MOSFET(金属氧化物)
Diodes Incorporated 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值) ±8V
Diodes Incorporated Vgs(最大值) ±8V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±8V
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±8V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.6nC @ 4.5V
Diodes Incorporated 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.6nC @ 4.5V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.6nC @ 4.5V
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.6nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 25 毫欧 @ 8.2A,4.5V
Diodes Incorporated 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 25 毫欧 @ 8.2A,4.5V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 25 毫欧 @ 8.2A,4.5V
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 25 毫欧 @ 8.2A,4.5V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
Diodes Incorporated 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
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FET 类型 N 沟道
Diodes Incorporated FET 类型 N 沟道
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.2A(Ta)
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 829.9pF @ 10V
Diodes Incorporated 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 829.9pF @ 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 829.9pF @ 10V
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 829.9pF @ 10V
FET 功能 -
Diodes Incorporated FET 功能 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 900mV @ 250μA
Diodes Incorporated 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 900mV @ 250μA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 900mV @ 250μA
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 900mV @ 250μA
功率耗散(最大值) 780mW
Diodes Incorporated 功率耗散(最大值) 780mW
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 780mW
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 780mW
漏源电压(Vdss) 20V
Diodes Incorporated 漏源电压(Vdss) 20V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 20V
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 20V
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