DMC1018UPD-13,Diodes Incorporated,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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DMC1018UPD-13 - 

MOSFET N/P-CH 12V POWERDI5060

Diodes Incorporated DMC1018UPD-13
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
DMC1018UPD-13
仓库库存编号:
DMC1018UPD-13DICT-ND
描述:
MOSFET N/P-CH 12V POWERDI5060
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array N and P-Channel 12V, 20V 9.5A, 6.9A 2.3W Surface Mount PowerDI5060-8
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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DMC1018UPD-13产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-PowerTDFN  
  制造商  Diodes Incorporated  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  汽车级,AEC-Q101  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  PowerDI5060-8  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  30.4nC @ 8V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  17 毫欧 @ 11.8A,4.5V  
  FET 类型  N 和 P 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  9.5A,6.9A  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  1525pF @ 6V  
  FET 功能  标准  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  1.5V @ 250μA  
  漏源电压(Vdss)  12V,20V  
  功率 - 最大值  2.3W  
关键词         

产品资料
数据列表 DMC1018UPD
标准包装 1
其它名称 DMC1018UPD-13DICT

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