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产品规格

封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
制造商	Diodes Incorporated
安装类型	表面贴装
工作温度	-40°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
电压 - 电源	10 V ~ 20 V
供应商器件封装	8-SO
输入类型	非反相
上升/下降时间（典型值）	70ns，35ns
通道类型	同步
栅极类型	IGBT，N 沟道 MOSFET
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）	290mA，600mA
逻辑电压?- VIL，VIH	0.8V，2.5V
驱动配置	半桥
驱动器数	2
高压侧电压 - 最大值（自举）	600V
关键词

产品资料

数据列表	DGD2104M
标准包装	1
其它名称	DGD2104MS8-13DICT

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  Diodes Incorporated 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  PMIC - 栅极驱动器 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  Diodes Incorporated PMIC - 栅极驱动器 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）   制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated  PMIC - 栅极驱动器 制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated PMIC - 栅极驱动器 制造商 Diodes Incorporated   安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装  PMIC - 栅极驱动器 安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated PMIC - 栅极驱动器 安装类型 表面贴装   工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  Diodes Incorporated 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  PMIC - 栅极驱动器 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  Diodes Incorporated PMIC - 栅极驱动器 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Diodes Incorporated 系列 -  PMIC - 栅极驱动器 系列 -  Diodes Incorporated PMIC - 栅极驱动器 系列 -   包装 剪切带（CT）   Diodes Incorporated 包装 剪切带（CT）   PMIC - 栅极驱动器 包装 剪切带（CT）   Diodes Incorporated PMIC - 栅极驱动器 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Diodes Incorporated 零件状态 在售  PMIC - 栅极驱动器 零件状态 在售  Diodes Incorporated PMIC - 栅极驱动器 零件状态 在售   电压 - 电源 10 V ~ 20 V  Diodes Incorporated 电压 - 电源 10 V ~ 20 V  PMIC - 栅极驱动器 电压 - 电源 10 V ~ 20 V  Diodes Incorporated PMIC - 栅极驱动器 电压 - 电源 10 V ~ 20 V   供应商器件封装 8-SO  Diodes Incorporated 供应商器件封装 8-SO  PMIC - 栅极驱动器 供应商器件封装 8-SO  Diodes Incorporated PMIC - 栅极驱动器 供应商器件封装 8-SO   输入类型 非反相  Diodes Incorporated 输入类型 非反相  PMIC - 栅极驱动器 输入类型 非反相  Diodes Incorporated PMIC - 栅极驱动器 输入类型 非反相   上升/下降时间（典型值） 70ns，35ns  Diodes Incorporated 上升/下降时间（典型值） 70ns，35ns  PMIC - 栅极驱动器 上升/下降时间（典型值） 70ns，35ns  Diodes Incorporated PMIC - 栅极驱动器 上升/下降时间（典型值） 70ns，35ns   通道类型 同步  Diodes Incorporated 通道类型 同步  PMIC - 栅极驱动器 通道类型 同步  Diodes Incorporated PMIC - 栅极驱动器 通道类型 同步   栅极类型 IGBT，N 沟道 MOSFET  Diodes Incorporated 栅极类型 IGBT，N 沟道 MOSFET  PMIC - 栅极驱动器 栅极类型 IGBT，N 沟道 MOSFET  Diodes Incorporated PMIC - 栅极驱动器 栅极类型 IGBT，N 沟道 MOSFET   电流 - 峰值输出（灌入，拉出） 290mA，600mA  Diodes Incorporated 电流 - 峰值输出（灌入，拉出） 290mA，600mA  PMIC - 栅极驱动器 电流 - 峰值输出（灌入，拉出） 290mA，600mA  Diodes Incorporated PMIC - 栅极驱动器 电流 - 峰值输出（灌入，拉出） 290mA，600mA   逻辑电压?- VIL，VIH 0.8V，2.5V  Diodes Incorporated 逻辑电压?- VIL，VIH 0.8V，2.5V  PMIC - 栅极驱动器 逻辑电压?- VIL，VIH 0.8V，2.5V  Diodes Incorporated PMIC - 栅极驱动器 逻辑电压?- VIL，VIH 0.8V，2.5V   驱动配置 半桥  Diodes Incorporated 驱动配置 半桥  PMIC - 栅极驱动器 驱动配置 半桥  Diodes Incorporated PMIC - 栅极驱动器 驱动配置 半桥   驱动器数 2  Diodes Incorporated 驱动器数 2  PMIC - 栅极驱动器 驱动器数 2  Diodes Incorporated PMIC - 栅极驱动器 驱动器数 2   高压侧电压 - 最大值（自举） 600V  Diodes Incorporated 高压侧电压 - 最大值（自举） 600V  PMIC - 栅极驱动器 高压侧电压 - 最大值（自举） 600V  Diodes Incorporated PMIC - 栅极驱动器 高压侧电压 - 最大值（自举） 600V