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产品规格

封装/外壳	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
制造商	Comchip Technology
安装类型	表面贴装
工作温度	-40°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	SOT-363
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	-
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	520 毫欧 @ 1A, 4.5V
FET 类型	2 个 P 沟道（双）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	660mA（Ta）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	170pF @ 16V
FET 功能	标准
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.1V @ 250μA
漏源电压（Vdss）	20V
功率 - 最大值	150mW
关键词

产品资料

数据列表	CJ3139KDW-G
标准包装	1
其它名称	641-1793-1

封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363  Comchip Technology 封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363  Comchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363   制造商 Comchip Technology  Comchip Technology 制造商 Comchip Technology  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Comchip Technology  Comchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Comchip Technology   安装类型 表面贴装  Comchip Technology 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Comchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  Comchip Technology 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  Comchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Comchip Technology 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -  Comchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -   包装 剪切带（CT）   Comchip Technology 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）   Comchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Comchip Technology 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售  Comchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 SOT-363  Comchip Technology 供应商器件封装 SOT-363  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 SOT-363  Comchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 SOT-363   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Comchip Technology 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Comchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 520 毫欧 @ 1A, 4.5V  Comchip Technology 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 520 毫欧 @ 1A, 4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 520 毫欧 @ 1A, 4.5V  Comchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 520 毫欧 @ 1A, 4.5V   FET 类型 2 个 P 沟道（双）  Comchip Technology FET 类型 2 个 P 沟道（双）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 P 沟道（双）  Comchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 P 沟道（双）   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 660mA（Ta）  Comchip Technology 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 660mA（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 660mA（Ta）  Comchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 660mA（Ta）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 170pF @ 16V  Comchip Technology 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 170pF @ 16V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 170pF @ 16V  Comchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 170pF @ 16V   FET 功能 标准  Comchip Technology FET 功能 标准  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准  Comchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.1V @ 250μA  Comchip Technology 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.1V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.1V @ 250μA  Comchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.1V @ 250μA   漏源电压（Vdss） 20V  Comchip Technology 漏源电压（Vdss） 20V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 20V  Comchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 20V   功率 - 最大值 150mW  Comchip Technology 功率 - 最大值 150mW  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 150mW  Comchip Technology 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 150mW