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产品规格

封装/外壳	TO-220-3
制造商	Central Semiconductor Corp
安装类型	通孔
工作温度	-65°C ~ 150°C（TJ）
系列	*
包装	散装
零件状态	过期
供应商器件封装	TO-220
晶体管类型	PNP - 达林顿
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	1000 @ 3A，3V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	80V
Power - Max	65W
电流 - 集电极截止（最大值）	500μA
Current - Collector (Ic) (Max)	5A
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	4V @ 20mA，5A
频率 - 跃迁	4MHz
关键词

产品资料

数据列表	TIP120 - 122, TIP125 - 127
标准包装	400
其它名称	TIP126CS

封装/外壳 TO-220-3  Central Semiconductor Corp 封装/外壳 TO-220-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-220-3  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-220-3   制造商 Central Semiconductor Corp  Central Semiconductor Corp 制造商 Central Semiconductor Corp  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Central Semiconductor Corp  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Central Semiconductor Corp   安装类型 通孔  Central Semiconductor Corp 安装类型 通孔  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔   工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  Central Semiconductor Corp 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）   系列 *  Central Semiconductor Corp 系列 *  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 *  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 *   包装 散装   Central Semiconductor Corp 包装 散装   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 散装   Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 散装    零件状态 过期  Central Semiconductor Corp 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 TO-220  Central Semiconductor Corp 供应商器件封装 TO-220  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-220  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-220   晶体管类型 PNP - 达林顿  Central Semiconductor Corp 晶体管类型 PNP - 达林顿  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP - 达林顿  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP - 达林顿   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 1000 @ 3A，3V  Central Semiconductor Corp 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 1000 @ 3A，3V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 1000 @ 3A，3V  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 1000 @ 3A，3V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V  Central Semiconductor Corp Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V   Power - Max 65W  Central Semiconductor Corp Power - Max 65W  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 65W  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 65W   电流 - 集电极截止（最大值） 500μA  Central Semiconductor Corp 电流 - 集电极截止（最大值） 500μA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 500μA  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 500μA   Current - Collector (Ic) (Max) 5A  Central Semiconductor Corp Current - Collector (Ic) (Max) 5A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 5A  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 5A   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 4V @ 20mA，5A  Central Semiconductor Corp 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 4V @ 20mA，5A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 4V @ 20mA，5A  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 4V @ 20mA，5A   频率 - 跃迁 4MHz  Central Semiconductor Corp 频率 - 跃迁 4MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 4MHz  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 4MHz