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产品规格

封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
制造商	Central Semiconductor Corp
安装类型	表面贴装
工作温度	-65°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	在售
供应商器件封装	SOT-23
FET 类型	N 沟道
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	14pF @ 20V
漏源电压（Vdss）	40V
Power - Max	350mW
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）	50mA @ 20V
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）	4V @ 1nA
电压 - 击穿（V（BR）GSS）	40V
电阻 - RDS（开）	30 欧姆
关键词

产品资料

数据列表	CMPF4391
标准包装	3,000

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  Central Semiconductor Corp 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  晶体管 - JFET 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  Central Semiconductor Corp 晶体管 - JFET 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3   制造商 Central Semiconductor Corp  Central Semiconductor Corp 制造商 Central Semiconductor Corp  晶体管 - JFET 制造商 Central Semiconductor Corp  Central Semiconductor Corp 晶体管 - JFET 制造商 Central Semiconductor Corp   安装类型 表面贴装  Central Semiconductor Corp 安装类型 表面贴装  晶体管 - JFET 安装类型 表面贴装  Central Semiconductor Corp 晶体管 - JFET 安装类型 表面贴装   工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  Central Semiconductor Corp 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - JFET 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  Central Semiconductor Corp 晶体管 - JFET 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Central Semiconductor Corp 系列 -  晶体管 - JFET 系列 -  Central Semiconductor Corp 晶体管 - JFET 系列 -   包装 带卷（TR）   Central Semiconductor Corp 包装 带卷（TR）   晶体管 - JFET 包装 带卷（TR）   Central Semiconductor Corp 晶体管 - JFET 包装 带卷（TR）    零件状态 在售  Central Semiconductor Corp 零件状态 在售  晶体管 - JFET 零件状态 在售  Central Semiconductor Corp 晶体管 - JFET 零件状态 在售   供应商器件封装 SOT-23  Central Semiconductor Corp 供应商器件封装 SOT-23  晶体管 - JFET 供应商器件封装 SOT-23  Central Semiconductor Corp 晶体管 - JFET 供应商器件封装 SOT-23   FET 类型 N 沟道  Central Semiconductor Corp FET 类型 N 沟道  晶体管 - JFET FET 类型 N 沟道  Central Semiconductor Corp 晶体管 - JFET FET 类型 N 沟道   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 14pF @ 20V  Central Semiconductor Corp 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 14pF @ 20V  晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 14pF @ 20V  Central Semiconductor Corp 晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 14pF @ 20V   漏源电压（Vdss） 40V  Central Semiconductor Corp 漏源电压（Vdss） 40V  晶体管 - JFET 漏源电压（Vdss） 40V  Central Semiconductor Corp 晶体管 - JFET 漏源电压（Vdss） 40V   Power - Max 350mW  Central Semiconductor Corp Power - Max 350mW  晶体管 - JFET Power - Max 350mW  Central Semiconductor Corp 晶体管 - JFET Power - Max 350mW   不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 50mA @ 20V  Central Semiconductor Corp 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 50mA @ 20V  晶体管 - JFET 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 50mA @ 20V  Central Semiconductor Corp 晶体管 - JFET 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 50mA @ 20V   不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 4V @ 1nA  Central Semiconductor Corp 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 4V @ 1nA  晶体管 - JFET 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 4V @ 1nA  Central Semiconductor Corp 晶体管 - JFET 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 4V @ 1nA   电压 - 击穿（V（BR）GSS） 40V  Central Semiconductor Corp 电压 - 击穿（V（BR）GSS） 40V  晶体管 - JFET 电压 - 击穿（V（BR）GSS） 40V  Central Semiconductor Corp 晶体管 - JFET 电压 - 击穿（V（BR）GSS） 40V   电阻 - RDS（开） 30 欧姆  Central Semiconductor Corp 电阻 - RDS（开） 30 欧姆  晶体管 - JFET 电阻 - RDS（开） 30 欧姆  Central Semiconductor Corp 晶体管 - JFET 电阻 - RDS（开） 30 欧姆