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产品规格

封装/外壳	TO-220-3 整包
制造商	Central Semiconductor Corp
安装类型	通孔
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	管件
零件状态	在售
供应商器件封装	TO-220FP
技术	MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）	30V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	52.4nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	450 毫欧 @ 6A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
FET 类型	N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	12A（Ta）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1090pF @ 100V
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 250μA
功率耗散（最大值）	40W（Tc）
漏源电压（Vdss）	800V
关键词

产品资料

数据列表	CDM22012-800LRFP
设计资源	CDM22012-800LRFP Spice Model
标准包装	50
其它名称	CDM22012-800LRFP PBFREE CDM22012-800LRFP PBFREECT CDM22012-800LRFP PBFREECT-ND

封装/外壳 TO-220-3 整包  Central Semiconductor Corp 封装/外壳 TO-220-3 整包  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3 整包  Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3 整包   制造商 Central Semiconductor Corp  Central Semiconductor Corp 制造商 Central Semiconductor Corp  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Central Semiconductor Corp  Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Central Semiconductor Corp   安装类型 通孔  Central Semiconductor Corp 安装类型 通孔  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 通孔  Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Central Semiconductor Corp 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Central Semiconductor Corp 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -  Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -   包装 管件   Central Semiconductor Corp 包装 管件   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 管件   Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 在售  Central Semiconductor Corp 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售  Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-220FP  Central Semiconductor Corp 供应商器件封装 TO-220FP  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220FP  Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220FP   技术 MOSFET（金属氧化物）  Central Semiconductor Corp 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） 30V  Central Semiconductor Corp Vgs（最大值） 30V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） 30V  Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） 30V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52.4nC @ 10V  Central Semiconductor Corp 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52.4nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52.4nC @ 10V  Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 52.4nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 450 毫欧 @ 6A，10V  Central Semiconductor Corp 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 450 毫欧 @ 6A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 450 毫欧 @ 6A，10V  Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 450 毫欧 @ 6A，10V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  Central Semiconductor Corp 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V   FET 类型 N 沟道  Central Semiconductor Corp FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）  Central Semiconductor Corp 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）  Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1090pF @ 100V  Central Semiconductor Corp 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1090pF @ 100V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1090pF @ 100V  Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1090pF @ 100V   FET 功能 -  Central Semiconductor Corp FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA  Central Semiconductor Corp 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA  Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA   功率耗散（最大值） 40W（Tc）  Central Semiconductor Corp 功率耗散（最大值） 40W（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 40W（Tc）  Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 40W（Tc）   漏源电压（Vdss） 800V  Central Semiconductor Corp 漏源电压（Vdss） 800V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 800V  Central Semiconductor Corp 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 800V