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产品规格

封装/外壳	TO-206AA，TO-18-3 金属罐
制造商	Central Semiconductor Corp
安装类型	通孔
工作温度	-65°C ~ 200°C（TJ）
系列	-
包装	散装
零件状态	在售
供应商器件封装	TO-18
FET 类型	N 沟道
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	10pF @ 10V（VGS）
漏源电压（Vdss）	30V
Power - Max	360mW
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）	50mA @ 15V
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）	10V @ 500pA
电压 - 击穿（V（BR）GSS）	30V
电阻 - RDS（开）	25 欧姆
漏极电流（Id） - 最大值	250pA
关键词

产品资料

数据列表	2N4859(A)
标准包装	2,000

封装/外壳 TO-206AA，TO-18-3 金属罐  Central Semiconductor Corp 封装/外壳 TO-206AA，TO-18-3 金属罐  晶体管 - JFET 封装/外壳 TO-206AA，TO-18-3 金属罐  Central Semiconductor Corp 晶体管 - JFET 封装/外壳 TO-206AA，TO-18-3 金属罐   制造商 Central Semiconductor Corp  Central Semiconductor Corp 制造商 Central Semiconductor Corp  晶体管 - JFET 制造商 Central Semiconductor Corp  Central Semiconductor Corp 晶体管 - JFET 制造商 Central Semiconductor Corp   安装类型 通孔  Central Semiconductor Corp 安装类型 通孔  晶体管 - JFET 安装类型 通孔  Central Semiconductor Corp 晶体管 - JFET 安装类型 通孔   工作温度 -65°C ~ 200°C（TJ）  Central Semiconductor Corp 工作温度 -65°C ~ 200°C（TJ）  晶体管 - JFET 工作温度 -65°C ~ 200°C（TJ）  Central Semiconductor Corp 晶体管 - JFET 工作温度 -65°C ~ 200°C（TJ）   系列 -  Central Semiconductor Corp 系列 -  晶体管 - JFET 系列 -  Central Semiconductor Corp 晶体管 - JFET 系列 -   包装 散装   Central Semiconductor Corp 包装 散装   晶体管 - JFET 包装 散装   Central Semiconductor Corp 晶体管 - JFET 包装 散装    零件状态 在售  Central Semiconductor Corp 零件状态 在售  晶体管 - JFET 零件状态 在售  Central Semiconductor Corp 晶体管 - JFET 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-18  Central Semiconductor Corp 供应商器件封装 TO-18  晶体管 - JFET 供应商器件封装 TO-18  Central Semiconductor Corp 晶体管 - JFET 供应商器件封装 TO-18   FET 类型 N 沟道  Central Semiconductor Corp FET 类型 N 沟道  晶体管 - JFET FET 类型 N 沟道  Central Semiconductor Corp 晶体管 - JFET FET 类型 N 沟道   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 10pF @ 10V（VGS）  Central Semiconductor Corp 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 10pF @ 10V（VGS）  晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 10pF @ 10V（VGS）  Central Semiconductor Corp 晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 10pF @ 10V（VGS）   漏源电压（Vdss） 30V  Central Semiconductor Corp 漏源电压（Vdss） 30V  晶体管 - JFET 漏源电压（Vdss） 30V  Central Semiconductor Corp 晶体管 - JFET 漏源电压（Vdss） 30V   Power - Max 360mW  Central Semiconductor Corp Power - Max 360mW  晶体管 - JFET Power - Max 360mW  Central Semiconductor Corp 晶体管 - JFET Power - Max 360mW   不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 50mA @ 15V  Central Semiconductor Corp 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 50mA @ 15V  晶体管 - JFET 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 50mA @ 15V  Central Semiconductor Corp 晶体管 - JFET 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 50mA @ 15V   不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 10V @ 500pA  Central Semiconductor Corp 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 10V @ 500pA  晶体管 - JFET 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 10V @ 500pA  Central Semiconductor Corp 晶体管 - JFET 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 10V @ 500pA   电压 - 击穿（V（BR）GSS） 30V  Central Semiconductor Corp 电压 - 击穿（V（BR）GSS） 30V  晶体管 - JFET 电压 - 击穿（V（BR）GSS） 30V  Central Semiconductor Corp 晶体管 - JFET 电压 - 击穿（V（BR）GSS） 30V   电阻 - RDS（开） 25 欧姆  Central Semiconductor Corp 电阻 - RDS（开） 25 欧姆  晶体管 - JFET 电阻 - RDS（开） 25 欧姆  Central Semiconductor Corp 晶体管 - JFET 电阻 - RDS（开） 25 欧姆   漏极电流（Id） - 最大值 250pA  Central Semiconductor Corp 漏极电流（Id） - 最大值 250pA  晶体管 - JFET 漏极电流（Id） - 最大值 250pA  Central Semiconductor Corp 晶体管 - JFET 漏极电流（Id） - 最大值 250pA