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产品规格

封装/外壳	TO-213AA，TO-66-2
制造商	Central Semiconductor Corp
安装类型	通孔
工作温度	-65°C ~ 200°C（TJ）
系列	-
包装	管件
零件状态	在售
供应商器件封装	TO-66
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	25 @ 1A，10V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	300V
Power - Max	35W
电流 - 集电极截止（最大值）	5mA
Current - Collector (Ic) (Max)	2A
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	750mV @ 125mA，1A
频率 - 跃迁	10MHz
关键词

产品资料

数据列表	2N3583 thru 2N3585
RoHS指令信息	RoHS Declaration of Compliance
标准包装	30
其它名称	2N3585 LEAD FREE

封装/外壳 TO-213AA，TO-66-2  Central Semiconductor Corp 封装/外壳 TO-213AA，TO-66-2  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-213AA，TO-66-2  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-213AA，TO-66-2   制造商 Central Semiconductor Corp  Central Semiconductor Corp 制造商 Central Semiconductor Corp  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Central Semiconductor Corp  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Central Semiconductor Corp   安装类型 通孔  Central Semiconductor Corp 安装类型 通孔  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔   工作温度 -65°C ~ 200°C（TJ）  Central Semiconductor Corp 工作温度 -65°C ~ 200°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -65°C ~ 200°C（TJ）  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -65°C ~ 200°C（TJ）   系列 -  Central Semiconductor Corp 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 管件   Central Semiconductor Corp 包装 管件   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 管件   Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 管件    零件状态 在售  Central Semiconductor Corp 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-66  Central Semiconductor Corp 供应商器件封装 TO-66  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-66  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-66   晶体管类型 NPN  Central Semiconductor Corp 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 25 @ 1A，10V  Central Semiconductor Corp 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 25 @ 1A，10V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 25 @ 1A，10V  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 25 @ 1A，10V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V  Central Semiconductor Corp Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V   Power - Max 35W  Central Semiconductor Corp Power - Max 35W  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 35W  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 35W   电流 - 集电极截止（最大值） 5mA  Central Semiconductor Corp 电流 - 集电极截止（最大值） 5mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 5mA  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 5mA   Current - Collector (Ic) (Max) 2A  Central Semiconductor Corp Current - Collector (Ic) (Max) 2A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 2A  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 2A   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 750mV @ 125mA，1A  Central Semiconductor Corp 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 750mV @ 125mA，1A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 750mV @ 125mA，1A  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 750mV @ 125mA，1A   频率 - 跃迁 10MHz  Central Semiconductor Corp 频率 - 跃迁 10MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 10MHz  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 10MHz