NESG250134-T1-AZ,CEL,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

NESG250134-T1-AZ - 

TRANS NPN 900MHZ SOT-89

  • 已过时的产品。
CEL NESG250134-T1-AZ
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
CEL CEL
制造商产品编号:
NESG250134-T1-AZ
仓库库存编号:
NESG250134-T1-AZCT-ND
描述:
TRANS NPN 900MHZ SOT-89
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
RF Transistor NPN 9.2V 500mA 10GHz 1.5W Surface Mount 3-PowerMiniMold
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

NESG250134-T1-AZ产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-243AA  
  制造商  CEL  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  3-PowerMiniMold  
  晶体管类型  NPN  
  不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)  80 @ 100mA,3V  
  频率 - 跃迁  10GHz  
  功率 - 最大值  1.5W  
  电流 - 集电极(Ic)(最大值)  500mA  
  电压 - 集射极击穿(最大值)  9.2V  
  增益  23dB  
  噪声系数(dB,不同 f 时的典型值)  -  
关键词         

产品资料
标准包装 1
其它名称 NESG250134-T1-AZCT

NESG250134-T1-AZ相关搜索

封装/外壳 TO-243AA  CEL 封装/外壳 TO-243AA  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 TO-243AA  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 TO-243AA   制造商 CEL  CEL 制造商 CEL  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 CEL  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 CEL   安装类型 表面贴装  CEL 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C(TJ)  CEL 工作温度 150°C(TJ)  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 150°C(TJ)  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 150°C(TJ)   系列 -  CEL 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -   包装 剪切带(CT)   CEL 包装 剪切带(CT)   晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 剪切带(CT)   CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 剪切带(CT)    零件状态 过期  CEL 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 过期  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 过期   供应商器件封装 3-PowerMiniMold  CEL 供应商器件封装 3-PowerMiniMold  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 3-PowerMiniMold  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 3-PowerMiniMold   晶体管类型 NPN  CEL 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN   不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 100mA,3V  CEL 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 100mA,3V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 100mA,3V  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 100mA,3V   频率 - 跃迁 10GHz  CEL 频率 - 跃迁 10GHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 10GHz  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 10GHz   功率 - 最大值 1.5W  CEL 功率 - 最大值 1.5W  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 1.5W  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 1.5W   电流 - 集电极(Ic)(最大值) 500mA  CEL 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 500mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 500mA  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 500mA   电压 - 集射极击穿(最大值) 9.2V  CEL 电压 - 集射极击穿(最大值) 9.2V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿(最大值) 9.2V  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿(最大值) 9.2V   增益 23dB  CEL 增益 23dB  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 23dB  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 23dB   噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) -  CEL 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) -  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) -  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号