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NE85630-R24-A - 

RF TRANSISTOR NPN SOT-323

  • 已过时的产品。
CEL NE85630-R24-A
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
CEL CEL
制造商产品编号:
NE85630-R24-A
仓库库存编号:
NE85630-R24-A-ND
描述:
RF TRANSISTOR NPN SOT-323
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
RF Transistor NPN 12V 100mA 4.5GHz 150mW Surface Mount SOT-323
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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NE85630-R24-A产品属性


产品规格
  封装/外壳  SC-70,SOT-323  
  制造商  CEL  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  散装   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  SOT-323  
  晶体管类型  NPN  
  不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)  70 @ 7mA,3V  
  频率 - 跃迁  4.5GHz  
  功率 - 最大值  150mW  
  电流 - 集电极(Ic)(最大值)  100mA  
  电压 - 集射极击穿(最大值)  12V  
  增益  9dB  
  噪声系数(dB,不同 f 时的典型值)  1.2dB @ 1GHz  
关键词         

产品资料
数据列表 NE85630, 2SC4226
标准包装 1

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封装/外壳 SC-70,SOT-323  CEL 封装/外壳 SC-70,SOT-323  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 SC-70,SOT-323  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 SC-70,SOT-323   制造商 CEL  CEL 制造商 CEL  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 CEL  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 CEL   安装类型 表面贴装  CEL 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C(TJ)  CEL 工作温度 150°C(TJ)  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 150°C(TJ)  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 150°C(TJ)   系列 -  CEL 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -   包装 散装   CEL 包装 散装   晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 散装   CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 散装    零件状态 过期  CEL 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 过期  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 过期   供应商器件封装 SOT-323  CEL 供应商器件封装 SOT-323  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 SOT-323  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 SOT-323   晶体管类型 NPN  CEL 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN   不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 70 @ 7mA,3V  CEL 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 70 @ 7mA,3V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 70 @ 7mA,3V  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 70 @ 7mA,3V   频率 - 跃迁 4.5GHz  CEL 频率 - 跃迁 4.5GHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 4.5GHz  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 4.5GHz   功率 - 最大值 150mW  CEL 功率 - 最大值 150mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 150mW  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 150mW   电流 - 集电极(Ic)(最大值) 100mA  CEL 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 100mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 100mA  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 100mA   电压 - 集射极击穿(最大值) 12V  CEL 电压 - 集射极击穿(最大值) 12V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿(最大值) 12V  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿(最大值) 12V   增益 9dB  CEL 增益 9dB  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 9dB  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 9dB   噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) 1.2dB @ 1GHz  CEL 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) 1.2dB @ 1GHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) 1.2dB @ 1GHz  CEL 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) 1.2dB @ 1GHz  
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