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AOI8N25
AOI8N25 -
MOSFET N-CH 250V 8A TO251A
非库存货
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
制造商产品编号:
AOI8N25
仓库库存编号:
785-1454-5-ND
描述:
MOSFET N-CH 250V 8A TO251A
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 8A(Tc) 78W(Tc) TO-251A
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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AOI8N25产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-251-3 短截引线,IPak
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-251A
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
7.2nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
560 毫欧 @ 1.5A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
8A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
306pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4.3V @ 250μA
功率耗散(最大值)
78W(Tc)
漏源电压(Vdss)
250V
关键词
产品资料
数据列表
AOx8N25
TO251A Pkg Drawing
其它有关文件
AOS Green Policy
标准包装
3,500
其它名称
785-1454-5
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封装/外壳 TO-251-3 短截引线,IPak
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 封装/外壳 TO-251-3 短截引线,IPak
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-251-3 短截引线,IPak
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-251-3 短截引线,IPak
制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
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安装类型 通孔
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 安装类型 通孔
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 通孔
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 通孔
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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系列 -
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -
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包装 管件
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 管件
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零件状态 在售
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 零件状态 在售
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
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供应商器件封装 TO-251A
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 供应商器件封装 TO-251A
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-251A
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技术 MOSFET(金属氧化物)
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
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Vgs(最大值) ±30V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±30V
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.2nC @ 10V
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不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 560 毫欧 @ 1.5A,10V
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驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
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FET 类型 N 沟道
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 306pF @ 25V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 306pF @ 25V
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FET 功能 -
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.3V @ 250μA
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.3V @ 250μA
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功率耗散(最大值) 78W(Tc)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 78W(Tc)
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漏源电压(Vdss) 250V
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 漏源电压(Vdss) 250V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 250V
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