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AOI4N60 - 

MOSFET N-CH 600V 4A TO251A

  • 非库存货
Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOI4N60
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
AOI4N60
仓库库存编号:
AOI4N60-ND
描述:
MOSFET N-CH 600V 4A TO251A
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 4A(Tc) 104W(Tc) TO-251A
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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AOI4N60产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-251-3 短截引线,IPak  
  制造商  Alpha & Omega Semiconductor Inc.  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -50°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  TO-251A  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±30V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  14.5nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  2.3 欧姆 @ 2A,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  4A(Tc)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  640pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  4.5V @ 250μA  
  功率耗散(最大值)  104W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  600V  
关键词         

产品资料
数据列表 AOx4N60
TO251A Pkg Drawing
其它有关文件 AOS Green Policy
标准包装 3,500

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封装/外壳 TO-251-3 短截引线,IPak  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 封装/外壳 TO-251-3 短截引线,IPak  晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-251-3 短截引线,IPak  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-251-3 短截引线,IPak   制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc.  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc.  晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc.  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc.   安装类型 通孔  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 安装类型 通孔  晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 通孔  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -50°C ~ 150°C(TJ)  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 工作温度 -50°C ~ 150°C(TJ)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -50°C ~ 150°C(TJ)  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -50°C ~ 150°C(TJ)   系列 -  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列 -  晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -   包装 管件   Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装 管件   晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 管件   Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 在售  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 零件状态 在售  晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-251A  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 供应商器件封装 TO-251A  晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-251A  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-251A   技术 MOSFET(金属氧化物)  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 技术 MOSFET(金属氧化物)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)   Vgs(最大值) ±30V  Alpha & Omega Semiconductor Inc. Vgs(最大值) ±30V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±30V  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±30V   不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14.5nC @ 10V  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14.5nC @ 10V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14.5nC @ 10V  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14.5nC @ 10V   不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.3 欧姆 @ 2A,10V  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.3 欧姆 @ 2A,10V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.3 欧姆 @ 2A,10V  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.3 欧姆 @ 2A,10V   驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V   FET 类型 N 沟道  Alpha & Omega Semiconductor Inc. FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc)  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc)  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc)   不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 640pF @ 25V  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 640pF @ 25V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 640pF @ 25V  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 640pF @ 25V   FET 功能 -  Alpha & Omega Semiconductor Inc. FET 功能 -  晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250μA  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250μA  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250μA  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250μA   功率耗散(最大值) 104W(Tc)  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 功率耗散(最大值) 104W(Tc)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 104W(Tc)  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 104W(Tc)   漏源电压(Vdss) 600V  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 漏源电压(Vdss) 600V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 600V  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 600V  
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