AOD607_DELTA,Alpha & Omega Semiconductor Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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AOD607_DELTA - 

MOSFET N/P-CH 30V TO252-4

  • 已过时的产品。
Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD607_DELTA
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
AOD607_DELTA
仓库库存编号:
AOD607_DELTA-ND
描述:
MOSFET N/P-CH 30V TO252-4
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array N and P-Channel Complementary 30V 12A (Tc) 25W (Tc) Surface Mount TO-252-4L
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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AOD607_DELTA产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD  
  制造商  Alpha & Omega Semiconductor Inc.  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 175°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  带卷(TR)   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  TO-252-4L  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  12.5nC @ 4.5V,11.7nC @ 4.5V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  25 毫欧 @ 12A,10V,37 毫欧 @ 12A,10V  
  FET 类型  N 和 P 沟道互补型  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  12A(Tc)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  1250pF @ 15V,1100pF @ 15V  
  FET 功能  标准  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  2.5V @ 250μA,2.4V @ 250μA  
  漏源电压(Vdss)  30V  
  功率 - 最大值  25W(Tc)  
关键词         

产品资料
标准包装 2,500

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