产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 54A 347W TO247
详细描述:IGBT NPT 1200V 54A 347W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT25GT120BRG
仓库库存编号:
APT25GT120BRG-ND
别名:APT25GT120BRGMI
APT25GT120BRGMI-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 100A 1042W TMAX
详细描述:IGBT PT 1200V 100A 1042W Through Hole
型号:
APT75GP120B2G
仓库库存编号:
APT75GP120B2G-ND
别名:APT75GP120B2GMI
APT75GP120B2GMI-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 36A 250W TO247
详细描述:IGBT NPT 1200V 36A 250W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT15GT120BRDQ1G
仓库库存编号:
APT15GT120BRDQ1G-ND
别名:APT15GT120BRDQ1GMI
APT15GT120BRDQ1GMI-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 52A 297W TO247
详细描述:IGBT NPT 1200V 52A 297W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT33GF120BRG
仓库库存编号:
APT33GF120BRG-ND
别名:APT33GF120BRGMI
APT33GF120BRGMI-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 200A 833W TO264
详细描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 200A 833W Through Hole TO-264 [L]
型号:
APT75GN120LG
仓库库存编号:
APT75GN120LG-ND
别名:APT75GN120LGMI
APT75GN120LGMI-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 113A 625W TMAX
详细描述:IGBT PT 1200V 113A 625W Through Hole
型号:
APT45GP120B2DQ2G
仓库库存编号:
APT45GP120B2DQ2G-ND
别名:APT45GP120B2DQ2GMI
APT45GP120B2DQ2GMI-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 75A 521W TO247
详细描述:IGBT NPT 1200V 75A 521W Through Hole TO-247
型号:
APT25GR120B
仓库库存编号:
APT25GR120B-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 94A 625W TO247
详细描述:IGBT NPT 1200V 94A 625W Through Hole
型号:
APT50GT120B2RG
仓库库存编号:
APT50GT120B2RG-ND
别名:APT50GT120B2RGMI
APT50GT120B2RGMI-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 67A 272W D3PAK
详细描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 67A 272W Surface Mount D3Pak
型号:
APT25GN120SG
仓库库存编号:
APT25GN120SG-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 54A 347W TO247
详细描述:IGBT NPT 1200V 54A 347W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT25GT120BRDQ2G
仓库库存编号:
APT25GT120BRDQ2G-ND
别名:APT25GT120BRDQ2GMI
APT25GT120BRDQ2GMI-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 94A 379W TO247
详细描述:IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 94A 379W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT35GN120BG
仓库库存编号:
APT35GN120BG-ND
别名:APT35GN120BGMI
APT35GN120BGMI-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 94A 379W TO264
详细描述:IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 94A 379W Through Hole
型号:
APT35GN120L2DQ2G
仓库库存编号:
APT35GN120L2DQ2G-ND
别名:APT35GN120L2DQ2GMI
APT35GN120L2DQ2GMI-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 134A 543W TO264
详细描述:IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 134A 543W Through Hole
型号:
APT50GN120L2DQ2G
仓库库存编号:
APT50GN120L2DQ2G-ND
别名:APT50GN120L2DQ2GMI
APT50GN120L2DQ2GMI-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 100A 625W TO247
详细描述:IGBT PT 1200V 100A 625W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT45GP120BG
仓库库存编号:
APT45GP120BG-ND
别名:APT45GP120BGMI
APT45GP120BGMI-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 245A 960W TMAX
详细描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 245A 960W Through Hole
型号:
APT100GN120B2G
仓库库存编号:
APT100GN120B2G-ND
别名:APT100GN120B2GMI
APT100GN120B2GMI-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 36A 250W TO247
详细描述:IGBT NPT 1200V 36A 250W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT15GT120BRG
仓库库存编号:
APT15GT120BRG-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 88A 500W TO247
详细描述:IGBT NPT 1200V 88A 500W Through Hole TO-247-3
型号:
APT40GR120B2D30
仓库库存编号:
APT40GR120B2D30-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 96A 543W TO247
详细描述:IGBT PT 1200V 96A 543W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT35GP120BG
仓库库存编号:
APT35GP120BG-ND
别名:APT35GP120BGMI
APT35GP120BGMI-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 96A 543W TMAX
详细描述:IGBT PT 1200V 96A 543W Through Hole
型号:
APT35GP120B2DQ2G
仓库库存编号:
APT35GP120B2DQ2G-ND
别名:APT35GP120B2DQ2GMI
APT35GP120B2DQ2GMI-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 135A 781W TO264
详细描述:IGBT NPT 1200V 135A 781W Through Hole TO-264 [L]
型号:
APT50GF120LRG
仓库库存编号:
APT50GF120LRG-ND
别名:APT50GF120LRGMI
APT50GF120LRGMI-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 75A 521W TO247
详细描述:IGBT NPT 1200V 75A 521W Through Hole TO-247
型号:
APT25GR120BD15
仓库库存编号:
APT25GR120BD15-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 160A 961W TO264
详细描述:IGBT NPT 1200V 160A 961W Through Hole TO-264
型号:
APT70GR120L
仓库库存编号:
APT70GR120L-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 69A 417W TO247
详细描述:IGBT PT 1200V 69A 417W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT25GP120BDQ1G
仓库库存编号:
APT25GP120BDQ1G-ND
别名:APT25GP120BDQ1GMI
APT25GP120BDQ1GMI-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 88A 500W TO247
详细描述:IGBT NPT 1200V 88A 500W Through Hole TO-247-3
型号:
APT40GR120B
仓库库存编号:
APT40GR120B-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
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IGBT 1200V 75A 521W D3PAK
详细描述:IGBT NPT 1200V 75A 521W Surface Mount D3Pak
型号:
APT25GR120SD15
仓库库存编号:
APT25GR120SD15-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
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