产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Renesas Electronics America,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 30A TO-3PSG
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 227.2W(Tc) TO-3PSG
型号:
RJK60S7DPK-M0#T0
仓库库存编号:
RJK60S7DPK-M0#T0-ND
别名:RJK60S7DPKM0T0
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Renesas Electronics America,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 30A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 34.7W(Tc) TO-220FP
型号:
RJK60S7DPP-E0#T2
仓库库存编号:
RJK60S7DPP-E0#T2-ND
别名:RJK60S7DPPE0T2
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Renesas Electronics America,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 2A TO251
详细描述:通孔 N 沟道 2A(Ta) 30W(Tc) TO-251
型号:
RJK6002DPH-E0#T2
仓库库存编号:
RJK6002DPH-E0#T2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Renesas Electronics America,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 3A MP3A
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Ta) 40.3W(Tc) MP-3A
型号:
RJK6032DPD-00#J2
仓库库存编号:
RJK6032DPD-00#J2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Renesas Electronics America,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 3A TO251
详细描述:通孔 N 沟道 3A(Ta) 40.3W(Tc) TO-251
型号:
RJK6032DPH-E0#T2
仓库库存编号:
RJK6032DPH-E0#T2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Renesas Electronics America,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 10A LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta) 100W(Tc) 4-LDPAK
型号:
RJK6012DPE-00#J3
仓库库存编号:
RJK6012DPE-00#J3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Renesas Electronics America,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 0.4A MP3A
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 400mA(Ta) 27.2W(Tc) MP-3A
型号:
RJK6024DPD-00#J2
仓库库存编号:
RJK6024DPD-00#J2CT-ND
别名:RJK6024DPD-00#J2CT
RJK6024DPD00J2
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Renesas Electronics America,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 1A MP3A
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 1A(Ta) 29.7W(Tc) MP-3A
型号:
RJK6025DPD-00#J2
仓库库存编号:
RJK6025DPD-00#J2CT-ND
别名:RJK6025DPD-00#J2CT
RJK6025DPD00J2
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Renesas Electronics America,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
含铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 0.2A TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 600V 200mA(Ta) 750mW(Ta) TO-92-3
型号:
HS54095TZ-E
仓库库存编号:
HS54095TZ-E-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Renesas Electronics America,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 2A MP3A
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2A(Ta) 30W(Tc) MP-3A
型号:
RJK6002DPD-00#J2
仓库库存编号:
RJK6002DPD-00#J2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Renesas Electronics America,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 5A MP3A
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 5A(Ta) 77.6W(Tc) MP-3A
型号:
RJK6006DPD-00#J2
仓库库存编号:
RJK6006DPD-00#J2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Renesas Electronics America,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 5A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 5A(Ta) 29W(Tc) TO-220FP
型号:
RJK6006DPP-E0#T2
仓库库存编号:
RJK6006DPP-E0#T2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Renesas Electronics America,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 0.1A TO92
详细描述:通孔 N 沟道 600V 100mA(Ta) 900mW(Ta) TO-92MOD
型号:
RJK6011DJE-00#Z0
仓库库存编号:
RJK6011DJE-00#Z0-ND
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 10A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 10A(Ta) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
RJK6012DPP-E0#T2
仓库库存编号:
RJK6012DPP-E0#T2-ND
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 11A LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 11A(Ta) 100W(Tc) 4-LDPAK
型号:
RJK6013DPE-00#J3
仓库库存编号:
RJK6013DPE-00#J3-ND
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 11A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11A(Ta) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
RJK6013DPP-E0#T2
仓库库存编号:
RJK6013DPP-E0#T2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Renesas Electronics America,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 16A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 16A(Ta) 35W(Tc) TO-220FP
型号:
RJK6014DPP-E0#T2
仓库库存编号:
RJK6014DPP-E0#T2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Renesas Electronics America,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 21A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 600V 21A(Ta) 150W(Tc) TO-3P
型号:
RJK6015DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJK6015DPK-00#T0-ND
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 21A TO3PFM
详细描述:通孔 N 沟道 600V 21A(Ta) 60W(Tc) TO-3PFM
型号:
RJK6015DPM-00#T1
仓库库存编号:
RJK6015DPM-00#T1-ND
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MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 600V 30A(Ta) 200W(Tc) TO-3P
型号:
RJK6018DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJK6018DPK-00#T0-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Renesas Electronics America,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 30A TO3PFM
详细描述:通孔 N 沟道 600V 30A(Ta) 60W(Tc) TO-3PFM
型号:
RJK6018DPM-00#T1
仓库库存编号:
RJK6018DPM-00#T1-ND
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 32A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 600V 32A(Ta) 200W(Tc) TO-3P
型号:
RJK6020DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJK6020DPK-00#T0-ND
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MOSFET N-CH 600V 5A LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 5A(Ta) 62.5W(Tc) 4-LDPAK
型号:
RJK6026DPE-00#J3
仓库库存编号:
RJK6026DPE-00#J3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Renesas Electronics America,规格:漏源电压(Vdss) 600V,
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MOSFET N-CH 600V 6A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6A(Ta) 29.5W(Tc) TO-220FP
型号:
RJK6035DPP-E0#T2
仓库库存编号:
RJK6035DPP-E0#T2-ND
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MOSFET N-CH 600V 10A LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 10A(Ta) 100W(Tc) 4-LDPAK
型号:
RJL6012DPE-00#J3
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RJL6012DPE-00#J3-ND
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