产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
筛选品牌
Infineon Technologies (101)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 6A 3TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Ta) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD06N80C3ATMA1
仓库库存编号:
SPD06N80C3ATMA1CT-ND
别名:SPD06N80C3ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 9A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R385CPATMA1
仓库库存编号:
IPD60R385CPATMA1CT-ND
别名:IPD60R385CPATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.3A(Tc) 83W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB07N60C3
仓库库存编号:
SPB07N60C3INCT-ND
别名:SPB07N60C3INCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R380P6ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R380P6ATMA1CT-ND
别名:IPD60R380P6ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 7.3A(Tc) 83W(Tc) PG-TO251-3
型号:
SPU07N60C3
仓库库存编号:
SPU07N60C3IN-ND
别名:SP000101635
SPU07N60C3-ND
SPU07N60C3BKMA1
SPU07N60C3IN
SPU07N60C3X
SPU07N60C3XK
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 95A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 95A(Tc) 83W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF40B207
仓库库存编号:
IRF40B207-ND
别名:SP001564728
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 159A ISOMETRICMF
详细描述:表面贴装 N 沟道 159A(Tc) 83W(Tc) DirectFET? 等容 MF
型号:
IRF40DM229
仓库库存编号:
IRF40DM229CT-ND
别名:IRF40DM229CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 85A 6-PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 85A(Tc) 83W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH7545TRPBF
仓库库存编号:
IRFH7545TRPBFCT-ND
别名:IRFH7545TRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.1A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD90R1K2C3BTMA1
仓库库存编号:
IPD90R1K2C3BTMA1CT-ND
别名:IPD90R1K2C3BTMA1CT
IPD90R1K2C3CT
IPD90R1K2C3CT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.1A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD90R1K2C3ATMA1
仓库库存编号:
IPD90R1K2C3ATMA1CT-ND
别名:IPD90R1K2C3ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 58A
详细描述:表面贴装 N 沟道 58A(Tc) 83W(Tc) D-Pak
型号:
IRF60R217
仓库库存编号:
IRF60R217CT-ND
别名:IRF60R217CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 7.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3-1
型号:
SPD08N50C3ATMA1
仓库库存编号:
SPD08N50C3ATMA1CT-ND
别名:SPD08N50C3ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R380C6ATMA1
仓库库存编号:
IPD65R380C6ATMA1CT-ND
别名:IPD65R380C6ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R380C6BTMA1
仓库库存编号:
IPD65R380C6BTMA1CT-ND
别名:IPD65R380C6BTMA1CT
IPD65R380C6CT
IPD65R380C6CT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB60R380P6ATMA1
仓库库存编号:
IPB60R380P6ATMA1CT-ND
别名:IPB60R380P6ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 5.1A(Tc) 83W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP90R1K2C3
仓库库存编号:
IPP90R1K2C3-ND
别名:IPP90R1K2C3XKSA1
SP000411302
SP000683096
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R380P6XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R380P6XKSA1-ND
别名:SP001017058
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 6A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
SPP06N80C3
仓库库存编号:
SPP06N80C3IN-ND
别名:SP000013366
SP0000683154
SP000683154
SPP06N80C3IN
SPP06N80C3X
SPP06N80C3XK
SPP06N80C3XKSA1
SPP06N80C3XTIN
SPP06N80C3XTIN-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 5.1A(Tc) 83W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW90R1K2C3
仓库库存编号:
IPW90R1K2C3-ND
别名:IPW90R1K2C3FKSA1
SP000413754
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 7.6A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 7.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP08N50C3XKSA1
仓库库存编号:
SPP08N50C3XKSA1-ND
别名:SP000681038
SPP08N50C3
SPP08N50C3IN
SPP08N50C3IN-ND
SPP08N50C3X
SPP08N50C3X-ND
SPP08N50C3XK
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R380E6XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R380E6XKSA1-ND
别名:IPP60R380E6
IPP60R380E6-ND
SP000795310
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R380C6
仓库库存编号:
IPP60R380C6-ND
别名:IPP60R380C6XKSA1
SP000645062
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP65R380E6
仓库库存编号:
IPP65R380E6-ND
别名:IPP65R380E6XKSA1
SP000795280
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 42A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 42A(Tc) 83W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB42N03S2L-13
仓库库存编号:
SPB42N03S2L13INCT-ND
别名:SPB42N03S2L13
SPB42N03S2L13INCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 56A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 56A(Tc) 83W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
IRF40R207
仓库库存编号:
IRF40R207CT-ND
别名:IRF40R207CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
搜索
1
2
3
4
5
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号