产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.6A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
型号：
IRFL4310TRPBF
仓库库存编号：
IRFL4310TRPBFCT-ND
别名：IRFL4310TRPBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 9.4A（Tc） 48W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR120NTRPBF
仓库库存编号：
IRFR120NPBFCT-ND
别名：*IRFR120NTRPBF
IRFR120NPBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 55A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），55A（Tc） 2.5W（Ta），66W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC123N08NS3GATMA1
仓库库存编号：
BSC123N08NS3GATMA1CT-ND
别名：BSC123N08NS3 GCT
BSC123N08NS3 GCT-ND
BSC123N08NS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 42A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.8A（Ta），42A（Tc） 60W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC160N10NS3GATMA1
仓库库存编号：
BSC160N10NS3GATMA1CT-ND
别名：BSC160N10NS3 GINCT
BSC160N10NS3 GINCT-ND
BSC160N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），66W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ123N08NS3 G
仓库库存编号：
BSZ123N08NS3GINCT-ND
别名：BSZ123N08NS3GINCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 5.3A（Ta） 2.5W（Tc） 8-SO
型号：
IRF7204TRPBF
仓库库存编号：
IRF7204PBFCT-ND
别名：*IRF7204TRPBF
IRF7204PBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 9.7A（Tc） 48W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF520NPBF
仓库库存编号：
IRF520NPBF-ND
别名：*IRF520NPBF
SP001571310
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 43A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 43A（Tc） 71W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP180N10N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPP180N10N3GXKSA1-ND
别名：IPP180N10N3 G
IPP180N10N3 G-ND
IPP180N10N3G
SP000683090
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 31W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
SPA04N60C3XKSA1
仓库库存编号：
SPA04N60C3XKSA1-ND
别名：SP000216299
SPA04N60C3
SPA04N60C3IN
SPA04N60C3IN-ND
SPA04N60C3XK
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 4.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB04N60C3
仓库库存编号：
SPB04N60C3INCT-ND
别名：SPB04N60C3INCT
SPB04N60C3XTINCT
SPB04N60C3XTINCT-ND
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.4A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 9.4A（Tc） 48W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU120NPBF
仓库库存编号：
IRFU120NPBF-ND
别名：*IRFU120NPBF
SP001557678
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-251
详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO251-3
型号：
SPU04N60C3
仓库库存编号：
SPU04N60C3IN-ND
别名：SP000095850
SPU04N60C3-ND
SPU04N60C3BKMA1
SPU04N60C3IN
SPU04N60C3X
SPU04N60C3XK
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 18A TO247-3
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 72W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW60R180P7XKSA1
仓库库存编号：
IPW60R180P7XKSA1-ND
别名：SP001606058
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 3.6A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.6A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7326D2TRPBF
仓库库存编号：
IRF7326D2TRPBFCT-ND
别名：IRF7326D2TRPBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 45A
详细描述：N 沟道 45A（Tc） 79W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD135N08N3GATMA1
仓库库存编号：
IPD135N08N3GATMA1CT-ND
别名：IPD135N08N3GATMA1CT
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Infineon Technologies
MV POWER MOS
详细描述：表面贴装 N 沟道 43A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD180N10N3GATMA1
仓库库存编号：
IPD180N10N3GATMA1TR-ND
别名：IPD180N10N3GATMA1-ND
IPD180N10N3GATMA1TR
SP000900132
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Infineon Technologies
MV POWER MOS
详细描述：表面贴装 N 沟道 43A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD180N10N3GATMA1
仓库库存编号：
IPD180N10N3GATMA1CT-ND
别名：IPD180N10N3GATMA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MV POWER MOS
详细描述：表面贴装 N 沟道 43A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD180N10N3GATMA1
仓库库存编号：
IPD180N10N3GATMA1DKR-ND
别名：IPD180N10N3GATMA1DKR
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 21A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta），98A（Tc） 2.5W（Ta），52W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC032N04LSATMA1
仓库库存编号：
BSC032N04LSATMA1CT-ND
别名：BSC032N04LSATMA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 19A VSON-4
详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Tc） 81W（Tc） PG-VSON-4
型号：
IPL60R185P7AUMA1
仓库库存编号：
IPL60R185P7AUMA1CT-ND
别名：IPL60R185P7AUMA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 9.7A（Tc） 3.8W（Ta），48W（Tc） D2PAK
型号：
IRF520NSTRLPBF
仓库库存编号：
IRF520NSTRLPBFCT-ND
别名：IRF520NSTRLPBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 18A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 26W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPAW60R180P7SXKSA1
仓库库存编号：
IPAW60R180P7SXKSA1-ND
别名：SP001606072
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 72W（Tc） PG-TO220-3
型号：
IPP60R180P7XKSA1
仓库库存编号：
IPP60R180P7XKSA1-ND
别名：SP001606038
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 18A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 26W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPA60R180P7XKSA1
仓库库存编号：
IPA60R180P7XKSA1-ND
别名：SP001606042
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 79W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPU135N08N3 G
仓库库存编号：
IPU135N08N3 G-ND
别名：IPU135N08N3G
IPU135N08N3GBKMA1
SP000521642
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
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