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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Vitramon
CAP CER 62PF 25V C0G/NP0 0805
详细描述：62pF ±20% 25V 陶瓷电容器 C0G，NP0 0805（2012 公制）
型号：
VJ0805D620MLXAC
仓库库存编号：
VJ0805D620MLXAC-ND
含铅
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Vishay Vitramon
CAP CER 62PF 50V C0G/NP0 0805
详细描述：62pF ±20% 50V 陶瓷电容器 C0G，NP0 0805（2012 公制）
型号：
VJ0805D620MXAAC
仓库库存编号：
VJ0805D620MXAAC-ND
无铅
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Vishay Vitramon
CAP CER 62PF 25V C0G/NP0 0805
详细描述：62pF ±20% 25V 陶瓷电容器 C0G，NP0 0805（2012 公制）
型号：
VJ0805D620MXXAC
仓库库存编号：
VJ0805D620MXXAC-ND
无铅
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Vishay Vitramon
CAP CER 68PF 50V C0G/NP0 0805
详细描述：68pF ±20% 50V 陶瓷电容器 C0G，NP0 0805（2012 公制）
型号：
VJ0805D680MLAAC
仓库库存编号：
VJ0805D680MLAAC-ND
含铅
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Vishay Vitramon
CAP CER 68PF 25V C0G/NP0 0805
详细描述：68pF ±20% 25V 陶瓷电容器 C0G，NP0 0805（2012 公制）
型号：
VJ0805D680MLXAC
仓库库存编号：
VJ0805D680MLXAC-ND
含铅
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Vishay Vitramon
CAP CER 68PF 50V C0G/NP0 0805
详细描述：68pF ±20% 50V 陶瓷电容器 C0G，NP0 0805（2012 公制）
型号：
VJ0805D680MXAAC
仓库库存编号：
VJ0805D680MXAAC-ND
无铅
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Vishay Vitramon
CAP CER 68PF 25V C0G/NP0 0805
详细描述：68pF ±20% 25V 陶瓷电容器 C0G，NP0 0805（2012 公制）
型号：
VJ0805D680MXXAC
仓库库存编号：
VJ0805D680MXXAC-ND
无铅
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Vishay Vitramon
CAP CER 75PF 50V C0G/NP0 0805
详细描述：75pF ±20% 50V 陶瓷电容器 C0G，NP0 0805（2012 公制）
型号：
VJ0805D750MLAAC
仓库库存编号：
VJ0805D750MLAAC-ND
含铅
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Vishay Vitramon
CAP CER 75PF 25V C0G/NP0 0805
详细描述：75pF ±20% 25V 陶瓷电容器 C0G，NP0 0805（2012 公制）
型号：
VJ0805D750MLXAC
仓库库存编号：
VJ0805D750MLXAC-ND
含铅
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Vishay Vitramon
CAP CER 75PF 50V C0G/NP0 0805
详细描述：75pF ±20% 50V 陶瓷电容器 C0G，NP0 0805（2012 公制）
型号：
VJ0805D750MXAAC
仓库库存编号：
VJ0805D750MXAAC-ND
无铅
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Vishay Vitramon
CAP CER 75PF 25V C0G/NP0 0805
详细描述：75pF ±20% 25V 陶瓷电容器 C0G，NP0 0805（2012 公制）
型号：
VJ0805D750MXXAC
仓库库存编号：
VJ0805D750MXXAC-ND
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 2.5W（Ta），6.25W（Tc） 1206-8 ChipFET?
型号：
SI5424DC-T1-E3
仓库库存编号：
SI5424DC-T1-E3TR-ND
别名：SI5424DC-T1-E3TR
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 2.4W（Ta），5W（Tc） 8-SO
型号：
SI4178DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4178DY-T1-E3-ND
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK? SC-70-6 Dual
型号：
SIA921EDJ-T4-GE3
仓库库存编号：
SIA921EDJ-T4-GE3-ND
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP
型号：
SQ3426AEEV-T1_GE3
仓库库存编号：
SQ3426AEEV-T1_GE3-ND
别名：SQ3426AEEV-T1-GE3
无铅
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Vishay Siliconix
N-CH 30-V (D-S) MOSFET W/SCHOTTK
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 41W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SIS782DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SIS782DN-T1-GE3-ND
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 6.9A（Tc） 5W（Tc） 6-TSOP
型号：
SQ3419AEEV-T1_GE3
仓库库存编号：
SQ3419AEEV-T1_GE3-ND
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 120V 3.6A TO277A
详细描述：肖特基 表面贴装 二极管 3.6A TO-277A（SMPC）
型号：
V8PM12HM3_A/H
仓库库存编号：
V8PM12HM3_A/H-ND
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 120V 3.6A TO277A
详细描述：肖特基 表面贴装 二极管 3.6A TO-277A（SMPC）
型号：
V8PM12HM3_A/I
仓库库存编号：
V8PM12HM3_A/I-ND
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
详细描述：标准 表面贴装 二极管 2A DO-214AA（SMB）
型号：
ES2D/1
仓库库存编号：
ES2D/1GI-ND
别名：ES2D/1GI
ES2DGI
ES2DGI-ND
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA
详细描述：标准 表面贴装 二极管 2A DO-214AA（SMB）
型号：
ES2B/1
仓库库存编号：
ES2B/1GI-ND
别名：ES2B/1GI
ES2BGI
ES2BGI-ND
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Vishay Vitramon
CAP CER 8200PF 500V X7R 1206
详细描述：8200pF ±10% 500V 陶瓷电容器 X7R 1206（3216 公制）
型号：
VJ1206Y822KBEAT4X
仓库库存编号：
VJ1206Y822KBEAT4X-ND
无铅
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Vishay Vitramon
CAP CER 8200PF 200V X7R 1206
详细描述：8200pF ±10% 200V 陶瓷电容器 X7R 1206（3216 公制）
型号：
VJ1206Y822KBCAT4X
仓库库存编号：
VJ1206Y822KBCAT4X-ND
无铅
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Vishay Vitramon
CAP CER 3900PF 500V X7R 1206
详细描述：3900pF ±10% 500V 陶瓷电容器 X7R 1206（3216 公制）
型号：
VJ1206Y392KBEAT4X
仓库库存编号：
VJ1206Y392KBEAT4X-ND
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Vishay Vitramon
CAP CER 3900PF 200V X7R 1206
详细描述：3900pF ±10% 200V 陶瓷电容器 X7R 1206（3216 公制）
型号：
VJ1206Y392KBCAT4X
仓库库存编号：
VJ1206Y392KBCAT4X-ND
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