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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V TO-204AE TO-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 38A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-3
型号：
2N6764
仓库库存编号：
2N6764-ND
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V TO-204AE TO-3
详细描述：通孔 N 沟道 200V 30A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-3
型号：
2N6766
仓库库存编号：
2N6766-ND
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V TO-254AA
详细描述：通孔 N 沟道 200V 30A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
型号：
2N6766T1
仓库库存编号：
2N6766T1-ND
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 400V TO-204AE TO-3
详细描述：通孔 N 沟道 400V 14A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-3
型号：
2N6768
仓库库存编号：
2N6768-ND
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V TO-205AF
详细描述：通孔 N 沟道 100V 3.5A（Tc） 800mW（Ta），15W（Tc） TO-39
型号：
2N6782
仓库库存编号：
2N6782-ND
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 18LCC
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 3.5A（Tc） 800mW（Ta），15W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
型号：
2N6782U
仓库库存编号：
2N6782U-ND
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V TO-205AF
详细描述：通孔 N 沟道 200V 2.25A（Tc） 800mW（Ta），15W（Tc） TO-39
型号：
2N6784
仓库库存编号：
2N6784-ND
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 18LCC
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 2.25A（Tc） 800mW（Ta），15W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
型号：
2N6784U
仓库库存编号：
2N6784U-ND
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V TO-205AF
详细描述：通孔 N 沟道 100V 6A（Tc） 800mW（Tc） TO-39
型号：
2N6788
仓库库存编号：
2N6788-ND
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 18LCC
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 4.5A（Tc） 800mW（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
型号：
2N6788U
仓库库存编号：
2N6788U-ND
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V TO-205AF
详细描述：通孔 N 沟道 200V 3.5A（Tc） 800mW（Tc） TO-39
型号：
2N6790
仓库库存编号：
2N6790-ND
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 18LCC
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 2.8A（Tc） 800mW（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
型号：
2N6790U
仓库库存编号：
2N6790U-ND
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V TO-205AF TO-39
详细描述：通孔 N 沟道 100V 8A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） TO-39
型号：
2N6796
仓库库存编号：
2N6796-ND
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 18LCC
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 8A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
型号：
2N6796U
仓库库存编号：
2N6796U-ND
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V TO-205AF TO-39
详细描述：通孔 N 沟道 200V 5.5A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） TO-39
型号：
2N6798
仓库库存编号：
2N6798-ND
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 18LCC
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 5.5A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
型号：
2N6798U
仓库库存编号：
2N6798U-ND
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 400V TO-205AF TO-39
详细描述：通孔 N 沟道 400V 3A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） TO-39
型号：
2N6800
仓库库存编号：
2N6800-ND
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 400V 18LCC
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 3A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
型号：
2N6800U
仓库库存编号：
2N6800U-ND
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V TO-205AF TO-39
详细描述：通孔 N 沟道 500V 2.5A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） TO-39
型号：
2N6802
仓库库存编号：
2N6802-ND
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 18LCC
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 2.5A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
型号：
2N6802U
仓库库存编号：
2N6802U-ND
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V TO-205AF TO-39
详细描述：通孔 P 沟道 100V 6.5A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） TO-39
型号：
2N6849
仓库库存编号：
2N6849-ND
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V 18-LCC
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 6.5A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
型号：
2N6849U
仓库库存编号：
2N6849U-ND
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 4.7V 5W SMBJ
详细描述：Zener Diode 4.7V 5W ±5% Surface Mount SMBJ (DO-214AA)
型号：
SMBJ5337BE3/TR13
仓库库存编号：
SMBJ5337BE3/TR13CT-ND
别名：SMBJ5337BE3/TR13CT
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 100V 12A DO203AA
详细描述：标准 接线柱安装 二极管 100V 12A DO-203AA
型号：
JANTX1N3890R
仓库库存编号：
JANTX1N3890R-ND
别名：JANTX1N3890R-MIL
Q7866719
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE SCHOTTKY 20V 200MA DO213AA
详细描述：肖特基 表面贴装 二极管 20V 200mA DO-213AA
型号：
CDLL0.2A20
仓库库存编号：
CDLL0.2A20-ND
别名：1086-1082
1086-1082-MIL
含铅
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