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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 5A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 5A(Tc) 225W(Tc) TO-220 [K]
型号:
APT4M120K
仓库库存编号:
APT4M120K-ND
别名:APT4M120KMI
APT4M120KMI-ND
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 27A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 27A(Tc) 300W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT5018BLLG
仓库库存编号:
APT5018BLLG-ND
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 72A 379W SOT227
详细描述:IGBT Module NPT Single 1200V 72A 379W Chassis Mount ISOTOP?
型号:
APT50GT120JRDQ2
仓库库存编号:
APT50GT120JRDQ2-ND
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 550V 44A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 550V 44A(Tc) 463W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT5510JFLL
仓库库存编号:
APT5510JFLL-ND
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 550V 31A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 550V 31A(Tc) 403W(Tc) TO-247-3
型号:
APT5518BFLLG
仓库库存编号:
APT5518BFLLG-ND
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 550V 77A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 550V 77A(Tc) 694W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT55M50JFLL
仓库库存编号:
APT55M50JFLL-ND
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 550V 63A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 550V 63A(Tc) 595W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT55M65JFLL
仓库库存编号:
APT55M65JFLL-ND
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 5A(Tc) 225W(Tc) TO-220 [K]
型号:
APT5F100K
仓库库存编号:
APT5F100K-ND
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE ARRAY GP 200V 60A TO264
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 200V 60A Through Hole TO-264-3, TO-264AA
型号:
APT60D20LCTG
仓库库存编号:
APT60D20LCTG-ND
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 300V 60A TO247
详细描述:标准 通孔 二极管 300V 60A TO-247
型号:
APT60D30BG
仓库库存编号:
APT60D30BG-ND
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE ARRAY GP 300V 60A TO264
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 300V 60A Through Hole TO-264-3, TO-264AA
型号:
APT60D30LCTG
仓库库存编号:
APT60D30LCTG-ND
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE ARRAY GP 1200V 60A TO264
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 1200V 60A Through Hole TO-264-3, TO-264AA
型号:
APT60DQ120LCTG
仓库库存编号:
APT60DQ120LCTG-ND
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 93A 378W SOT227
详细描述:IGBT Module NPT Single 600V 93A 378W Chassis Mount ISOTOP?
型号:
APT60GT60JR
仓库库存编号:
APT60GT60JR-ND
别名:APT60GT60JRMI
APT60GT60JRMI-ND
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 62A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 62A(Tc) 700W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT60M75JVFR
仓库库存编号:
APT60M75JVFR-ND
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 55A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 55A(Tc) 568W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT60M80JVR
仓库库存编号:
APT60M80JVR-ND
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 6A(Tc) 225W(Tc) TO-220 [K]
型号:
APT6M100K
仓库库存编号:
APT6M100K-ND
别名:APT6M100KMI
APT6M100KMI-ND
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 124A 379W SOT227
详细描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 124A 379W Chassis Mount ISOTOP?
型号:
APT75GN120JDQ3G
仓库库存编号:
APT75GN120JDQ3G-ND
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 124A 379W SOT227
详细描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 124A 379W Chassis Mount ISOTOP?
型号:
APT75GN120J
仓库库存编号:
APT75GN120J-ND
别名:APT75GN120JG
APT75GN120JG-ND
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 155A 536W TO264
详细描述:IGBT 600V 155A 536W Through Hole
型号:
APT75GN60B2DQ3G
仓库库存编号:
APT75GN60B2DQ3G-ND
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 7A(Tc) 225W(Tc) TO-220 [K]
型号:
APT7F80K
仓库库存编号:
APT7F80K-ND
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 42A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 800V 42A(Tc) 595W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT8014JLL
仓库库存编号:
APT8014JLL-ND
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 800V 29A(Tc) 460W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT8024JLL
仓库库存编号:
APT8024JLL-ND
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 31A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 800V 31A(Tc) 565W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT8024LLLG
仓库库存编号:
APT8024LLLG-ND
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Microsemi Corporation
DIODE ARRAY GP 600V 8A TO220
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 600V 8A Through Hole TO-220-3
型号:
APT8DQ60KCTG
仓库库存编号:
APT8DQ60KCTG-ND
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 8A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 8A(Tc) 225W(Tc) TO-220 [K]
型号:
APT8M80K
仓库库存编号:
APT8M80K-ND
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