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操作
Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 36MBIT 450MHZ 165FBGA
详细描述：SRAM - 同步，QDR II+ 存储器 IC 36Mb （2M x 18） 并联 450MHz 165-FBGA（13x15）
型号：
CY7C2262XV18-450BZXC
仓库库存编号：
CY7C2262XV18-450BZXC-ND
别名：CY7C2262XV18450BZXC
规格：包装 托盘 ,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 36MBIT 450MHZ 165FBGA
详细描述：SRAM - 同步，QDR II+ 存储器 IC 36Mb （1M x 36） 并联 450MHz 165-FBGA（13x15）
型号：
CY7C2264XV18-450BZXC
仓库库存编号：
CY7C2264XV18-450BZXC-ND
别名：CY7C2264XV18450BZXC
规格：包装 托盘 ,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 16KBIT 25NS 108PGA
详细描述：SRAM - 四端口，异步 存储器 IC 16Kb （2K x 8） 并联 25ns 108-PGA（30.48x30.48）
型号：
7052L25G
仓库库存编号：
7052L25G-ND
别名：IDT7052L25G
IDT7052L25G-ND
规格：包装 托盘 ,
含铅
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United Chemi-Con
CAP ALUM 3300UF 20% 550V SCREW
详细描述：3300μF 550V 铝电解电容器 径向，Can - 螺丝端子 85°C 时为 5000 小时
型号：
ERHA551LGC332MED0M
仓库库存编号：
ERHA551LGC332MED0M-ND
规格：包装 托盘 ,
无铅
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Vishay Sprague
CAP TANT 110UF 75V 10% AXIAL
详细描述：110μF 密封 钽电容器 75V 轴向 1.5 欧姆
型号：
135D117X9075K6
仓库库存编号：
135D117X9075K6-ND
规格：包装 托盘 ,
含铅
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Vishay Sprague
CAP TANT 1200UF 6V 10% AXIAL
详细描述：1200μF 密封 钽电容器 6V 轴向 1 欧姆
型号：
135D128X9006K6
仓库库存编号：
135D128X9006K6-ND
规格：包装 托盘 ,
含铅
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Vishay Sprague
CAP TANT 140UF 60V 10% AXIAL
详细描述：140μF 密封 钽电容器 60V 轴向 1.5 欧姆
型号：
135D147X9060K6
仓库库存编号：
135D147X9060K6-ND
规格：包装 托盘 ,
含铅
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Vishay Sprague
CAP TANT 160UF 50V 10% AXIAL
详细描述：160μF 密封 钽电容器 50V 轴向 1.5 欧姆
型号：
135D167X9050K6
仓库库存编号：
135D167X9050K6-ND
规格：包装 托盘 ,
含铅
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Vishay Sprague
CAP TANT 270UF 35V 10% AXIAL
详细描述：270μF 密封 钽电容器 35V 轴向 1.4 欧姆
型号：
135D277X9035K6
仓库库存编号：
135D277X9035K6-ND
规格：包装 托盘 ,
含铅
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Vishay Sprague
CAP TANT 350UF 25V 10% AXIAL
详细描述：350μF 密封 钽电容器 25V 轴向 1.3 欧姆
型号：
135D357X9025K6
仓库库存编号：
135D357X9025K6-ND
规格：包装 托盘 ,
含铅
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Vishay Sprague
CAP TANT 540UF 15V 10% AXIAL
详细描述：540μF 密封 钽电容器 15V 轴向 1 欧姆
型号：
135D547X9015K6
仓库库存编号：
135D547X9015K6-ND
规格：包装 托盘 ,
含铅
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Vishay Sprague
CAP TANT 56UF 125V 10% AXIAL
详细描述：56μF 密封 钽电容器 125V 轴向 1.6 欧姆
型号：
135D566X9125K6
仓库库存编号：
135D566X9125K6-ND
规格：包装 托盘 ,
含铅
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Vishay Sprague
CAP TANT 750UF 10V 10% AXIAL
详细描述：750μF 密封 钽电容器 10V 轴向 1 欧姆
型号：
135D757X9010K6
仓库库存编号：
135D757X9010K6-ND
规格：包装 托盘 ,
含铅
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Vishay Sprague
CAP TANT 86UF 100V 10% AXIAL
详细描述：86μF 密封 钽电容器 100V 轴向 1.6 欧姆
型号：
135D866X9100K6
仓库库存编号：
135D866X9100K6-ND
规格：包装 托盘 ,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 128KBIT 17NS 84PGA
详细描述：SRAM - 双端口，异步 存储器 IC 128Kb （8K x 16） 并联 17ns 84-PGA（27.94x27.94）
型号：
7025L17G
仓库库存编号：
7025L17G-ND
别名：IDT7025L17G
IDT7025L17G-ND
规格：包装 托盘 ,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 128KBIT 20NS 84PGA
详细描述：SRAM - 双端口，异步 存储器 IC 128Kb （8K x 16） 并联 20ns 84-PGA（27.94x27.94）
型号：
7025L20G
仓库库存编号：
7025L20G-ND
别名：IDT7025L20G
IDT7025L20G-ND
规格：包装 托盘 ,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 128KBIT 25NS 84PGA
详细描述：SRAM - 双端口，异步 存储器 IC 128Kb （8K x 16） 并联 25ns 84-PGA（27.94x27.94）
型号：
7025L25G
仓库库存编号：
7025L25G-ND
别名：IDT7025L25G
IDT7025L25G-ND
规格：包装 托盘 ,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 128KBIT 35NS 84PGA
详细描述：SRAM - 双端口，异步 存储器 IC 128Kb （8K x 16） 并联 35ns 84-PGA（27.94x27.94）
型号：
7025L35G
仓库库存编号：
7025L35G-ND
别名：IDT7025L35G
IDT7025L35G-ND
规格：包装 托盘 ,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 128KBIT 55NS 84PGA
详细描述：SRAM - 双端口，异步 存储器 IC 128Kb （8K x 16） 并联 55ns 84-PGA（27.94x27.94）
型号：
7025L55G
仓库库存编号：
7025L55G-ND
别名：IDT7025L55G
IDT7025L55G-ND
规格：包装 托盘 ,
含铅
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Vishay Sprague
CAP TANT 1100UF 25V 10% AXIAL
详细描述：1100μF 密封 钽电容器 25V 轴向 500 毫欧
型号：
ST1100-25L2KI
仓库库存编号：
ST1100-25L2KI-ND
规格：包装 托盘 ,
含铅
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Vishay Sprague
CAP TANT 120UF 100V 10% AXIAL
详细描述：120μF 密封 钽电容器 100V 轴向 1 欧姆
型号：
ST120-100L2KI
仓库库存编号：
ST120-100L2KI-ND
规格：包装 托盘 ,
含铅
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Vishay Sprague
CAP TANT 250UF 75V 10% AXIAL
详细描述：250μF 密封 钽电容器 75V 轴向 800 毫欧
型号：
ST250-75L2KI
仓库库存编号：
ST250-75L2KI-ND
规格：包装 托盘 ,
含铅
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Vishay Sprague
CAP TANT 370UF 60V 10% AXIAL
详细描述：370μF 密封 钽电容器 60V 轴向 600 毫欧
型号：
ST370-60L2KI
仓库库存编号：
ST370-60L2KI-ND
规格：包装 托盘 ,
含铅
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Vishay Sprague
CAP TANT 450UF 50V 10% AXIAL
详细描述：450μF 密封 钽电容器 50V 轴向 600 毫欧
型号：
ST450-50L2KI
仓库库存编号：
ST450-50L2KI-ND
规格：包装 托盘 ,
含铅
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Vishay Sprague
CAP TANT 90UF 125V 10% AXIAL
详细描述：90μF 密封 钽电容器 125V 轴向 1.3 欧姆
型号：
ST90-125L2KI
仓库库存编号：
ST90-125L2KI-ND
规格：包装 托盘 ,
含铅
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