规格：包装 带盒（TB） ,
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Infineon Technologies
SENSOR LINEAR ANALOG SSO4
详细描述：Hall Effect Sensor Single Axis P-SSO-4-1
型号：
TLE4990E6782HAXA1
仓库库存编号：
TLE4990E6782HAXA1TB-ND
别名：SP000014373
TLE4990 E6782
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TLE4990E6782X
TLE4990E6782XA
规格：包装 带盒（TB） ,
无铅
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NXP USA Inc.
JFET P-CH 30V 400MW TO92-3
详细描述：JFET P-Channel 30V 400mW Through Hole TO-92
型号：
J174,126
仓库库存编号：
J174,126-ND
别名：934005290126
J174 AMO
J174 AMO-ND
规格：包装 带盒（TB） ,
无铅
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NXP USA Inc.
JFET P-CH 30V 400MW TO92-3
详细描述：JFET P-Channel 30V 400mW Through Hole TO-92
型号：
J176,126
仓库库存编号：
J176,126-ND
别名：934005310126
J176 AMO
J176 AMO-ND
规格：包装 带盒（TB） ,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 800mA 700mW Through Hole TO-92-3
型号：
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PBRN113ES AMO
PBRN113ES AMO-ND
规格：包装 带盒（TB） ,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 800mA 700mW Through Hole TO-92-3
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别名：934059136126
PBRN113ZS AMO
PBRN113ZS AMO-ND
规格：包装 带盒（TB） ,
无铅
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NXP USA Inc.
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详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 800mA 700mW Through Hole TO-92-3
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规格：包装 带盒（TB） ,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3
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PBRN123YS AMO-ND
规格：包装 带盒（TB） ,
无铅
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NXP USA Inc.
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详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 800mA 500mW Through Hole TO-92-3
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PBRP113ES AMO-ND
规格：包装 带盒（TB） ,
无铅
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NXP USA Inc.
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详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 800mA 500mW Through Hole TO-92-3
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仓库库存编号：
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PBRP113ZS AMO-ND
规格：包装 带盒（TB） ,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 800mA 500mW Through Hole TO-92-3
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仓库库存编号：
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PBRP123ES AMO-ND
规格：包装 带盒（TB） ,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 800mA 500mW Through Hole TO-92-3
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PBRP123YS AMO-ND
规格：包装 带盒（TB） ,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
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仓库库存编号：
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PDTA113ES AMO-ND
规格：包装 带盒（TB） ,
无铅
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NXP USA Inc.
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详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
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规格：包装 带盒（TB） ,
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
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无铅
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NXP USA Inc.
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详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 20mA 500mW Through Hole TO-92-3
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别名：934058152126
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规格：包装 带盒（TB） ,
无铅
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NXP USA Inc.
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详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
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规格：包装 带盒（TB） ,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
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规格：包装 带盒（TB） ,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
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PDTA123JS,126
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PDTA123JS AMO
PDTA123JS AMO-ND
规格：包装 带盒（TB） ,
无铅
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PDTA123YS AMO-ND
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TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
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别名：934057562126
PDTA143TS AMO
PDTA143TS AMO-ND
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TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
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PDTA143XS,126
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PDTA143XS AMO
PDTA143XS AMO-ND
规格：包装 带盒（TB） ,
无铅
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TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
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PDTA143ZS,126
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别名：934057564126
PDTA143ZS AMO
PDTA143ZS AMO-ND
规格：包装 带盒（TB） ,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
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PDTA144TS,126
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PDTA144TS,126-ND
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PDTA144TS AMO
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