规格:包装 托盘 - 晶粒,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(15568)
电容器
(1731)
电路保护
(7)
连接器,互连器件
(1)
分立半导体产品
(10)
集成电路(IC)
(55)
光电元件
(19)
电阻器
(13726)
射频/IF 和 RFID
(19)
筛选品牌
Aeroflex Metelics, Division of MACOM(2)
Alliance Memory, Inc.(1)
Analog Devices Inc.(15)
AVX Corp/Kyocera Corp(616)
AVX Corporation(602)
Broadcom Limited(19)
Central Semiconductor Corp(6)
Cree/Wolfspeed(2)
Inphi Corporation(1)
IXYS(1)
KEMET(504)
Littelfuse Inc.(7)
M/A-Com Technology Solutions(22)
Maxim Integrated(1)
Microchip Technology(11)
NXP USA Inc.(12)
ON Semiconductor(2)
Semtech Corporation(11)
Skyworks Solutions Inc.(1)
TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine(1)
Texas Instruments(4)
Vishay Dale(9796)
Vishay Foil Resistors (Division of Vishay Precision Group)(3930)
Vishay Siliconix(1)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Dale
RES SMD 82.5K OHM 1% 0.8W 2010
详细描述:±1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342E08B82E5RWS
仓库库存编号:
M55342E08B82E5RWS-ND
别名:M55342E08B82E5RWS-MIL
规格:包装 托盘 - 晶粒,
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 83.5K OHM 0.1% 0.8W 2010
详细描述:±0.1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342E08B83B5RWS
仓库库存编号:
M55342E08B83B5RWS-ND
别名:M55342E08B83B5RWS-MIL
规格:包装 托盘 - 晶粒,
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 84.5K OHM 0.1% 0.8W 2010
详细描述:±0.1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342E08B84B5RWS
仓库库存编号:
M55342E08B84B5RWS-ND
别名:M55342E08B84B5RWS-MIL
规格:包装 托盘 - 晶粒,
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 86.6K OHM 0.1% 0.8W 2010
详细描述:±0.1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342E08B86B6RWS
仓库库存编号:
M55342E08B86B6RWS-ND
别名:M55342E08B86B6RWS-MIL
规格:包装 托盘 - 晶粒,
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 87.6K OHM 0.1% 0.8W 2010
详细描述:±0.1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342E08B87B6RWS
仓库库存编号:
M55342E08B87B6RWS-ND
别名:M55342E08B87B6RWS-MIL
规格:包装 托盘 - 晶粒,
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 89.8K OHM 0.1% 0.8W 2010
详细描述:±0.1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342E08B89B8RWS
仓库库存编号:
M55342E08B89B8RWS-ND
别名:M55342E08B89B8RWS-MIL
规格:包装 托盘 - 晶粒,
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 909K OHM 0.1% 0.8W 2010
详细描述:±0.1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342E08B909BRWS
仓库库存编号:
M55342E08B909BRWS-ND
别名:M55342E08B909BRWS-MIL
规格:包装 托盘 - 晶粒,
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 90.9K OHM 0.1% 0.8W 2010
详细描述:±0.1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342E08B90B9RWS
仓库库存编号:
M55342E08B90B9RWS-ND
别名:M55342E08B90B9RWS-MIL
规格:包装 托盘 - 晶粒,
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 92K OHM 0.1% 0.8W 2010
详细描述:±0.1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342E08B92B0RWS
仓库库存编号:
M55342E08B92B0RWS-ND
别名:M55342E08B92B0RWS-MIL
规格:包装 托盘 - 晶粒,
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 93.1K OHM 0.1% 0.8W 2010
详细描述:±0.1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342E08B93B1RWS
仓库库存编号:
M55342E08B93B1RWS-ND
别名:M55342E08B93B1RWS-MIL
规格:包装 托盘 - 晶粒,
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 93.1K OHM 1% 0.8W 2010
详细描述:±1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342E08B93E1RWS
仓库库存编号:
M55342E08B93E1RWS-ND
别名:M55342E08B93E1RWS-MIL
规格:包装 托盘 - 晶粒,
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 97.6K OHM 1% 0.8W 2010
详细描述:±1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342E08B97E6RWS
仓库库存编号:
M55342E08B97E6RWS-ND
别名:M55342E08B97E6RWS-MIL
规格:包装 托盘 - 晶粒,
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 100 OHM 0.1% 0.8W 2010
详细描述:±0.1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342H08B100ARWS
仓库库存编号:
M55342H08B100ARWS-ND
别名:M55342H08B100ARWS-MIL
规格:包装 托盘 - 晶粒,
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 100K OHM 0.1% 0.8W 2010
详细描述:±0.1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342H08B100BRWS
仓库库存编号:
M55342H08B100BRWS-ND
别名:M55342H08B100BRWS-MIL
规格:包装 托盘 - 晶粒,
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 100 OHM 1% 0.8W 2010
详细描述:±1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342H08B100DRWS
仓库库存编号:
M55342H08B100DRWS-ND
别名:M55342H08B100DRWS-MIL
规格:包装 托盘 - 晶粒,
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 100K OHM 1% 0.8W 2010
详细描述:±1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342H08B100ERWS
仓库库存编号:
M55342H08B100ERWS-ND
别名:M55342H08B100ERWS-MIL
规格:包装 托盘 - 晶粒,
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 10 OHM 1% 0.8W 2010
详细描述:±1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342H08B10D0RWS
仓库库存编号:
M55342H08B10D0RWS-ND
别名:M55342H08B10D0RWS-MIL
规格:包装 托盘 - 晶粒,
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 110 OHM 5% 0.8W 2010
详细描述:±5% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342H08B110JRWS
仓库库存编号:
M55342H08B110JRWS-ND
别名:M55342H08B110JRWS-MIL
规格:包装 托盘 - 晶粒,
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 118 OHM 1% 0.8W 2010
详细描述:±1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342H08B118DRWS
仓库库存编号:
M55342H08B118DRWS-ND
别名:M55342H08B118DRWS-MIL
规格:包装 托盘 - 晶粒,
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 121 OHM 1% 0.8W 2010
详细描述:±1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342H08B121DRWS
仓库库存编号:
M55342H08B121DRWS-ND
别名:M55342H08B121DRWS-MIL
规格:包装 托盘 - 晶粒,
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 130 OHM 1% 0.8W 2010
详细描述:±1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342H08B130DRWS
仓库库存编号:
M55342H08B130DRWS-ND
别名:M55342H08B130DRWS-MIL
规格:包装 托盘 - 晶粒,
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 13K OHM 1% 0.8W 2010
详细描述:±1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342H08B13E0MWS
仓库库存编号:
M55342H08B13E0MWS-ND
别名:M55342H08B13E0MWS-MIL
规格:包装 托盘 - 晶粒,
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 14 OHM 1% 0.8W 2010
详细描述:±1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342H08B14D0RWS
仓库库存编号:
M55342H08B14D0RWS-ND
别名:M55342H08B14D0RWS-MIL
规格:包装 托盘 - 晶粒,
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 14.7 OHM 1% 0.8W 2010
详细描述:±1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342H08B14D7RWS
仓库库存编号:
M55342H08B14D7RWS-ND
别名:M55342H08B14D7RWS-MIL
规格:包装 托盘 - 晶粒,
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 150 OHM 0.1% 0.8W 2010
详细描述:±0.1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342H08B150ACWS
仓库库存编号:
M55342H08B150ACWS-ND
别名:M55342H08B150ACWS-MIL
规格:包装 托盘 - 晶粒,
含铅
搜索
398
399
400
401
402
403
404
405
406
407
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号