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AVX Corporation
CAP TANT 33UF 35V 20% 2917
详细描述：模制 钽电容器 2917（7343 公制） 300 毫欧
型号：
TPSE336M035R0300
仓库库存编号：
TPSE336M035R0300-ND
规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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AVX Corporation
CAP TANT 22UF 35V 10% 2917
详细描述：模制 钽电容器 2917（7343 公制） 300 毫欧
型号：
TPSD226K035H0300
仓库库存编号：
TPSD226K035H0300-ND
规格：包装 带卷（TR） ,
含铅
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AVX Corporation
CAP NIOB OXIDE 1000UF 2.5V 2924
详细描述：Niobium Oxide Capacitor 2924 (7361 Metric)
型号：
NOSV108M002S0050
仓库库存编号：
NOSV108M002S0050-ND
规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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AVX Corporation
CAP NIOB OXIDE 680UF 20% 4V 2924
详细描述：Niobium Oxide Capacitor 2924 (7361 Metric)
型号：
NOSV687M004S0075
仓库库存编号：
NOSV687M004S0075-ND
规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 60A TO-247 L
详细描述：标准 通孔 二极管 60A TO-247AD
型号：
VS-EPU6006LHN3
仓库库存编号：
VS-EPU6006LHN3GI-ND
别名：VS-EPU6006LHN3GI
VS-EPU6006LHN3GITR
VS-EPU6006LHN3GITR-ND
规格：包装 带卷（TR） ,
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 150M OHM 0.5% 1/3W 1206
详细描述：±0.5% 0.333W，1/3W 厚膜 芯片电阻 1206（3216 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB1206DTC150M
仓库库存编号：
HVCB1206DTC150M-ND
规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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AVX Corporation
CAP NIOB OXIDE 330UF 20% 4V 2917
详细描述：Niobium Oxide Capacitor 2917 (7343 Metric)
型号：
NOSD337M004R0035
仓库库存编号：
NOSD337M004R0035-ND
规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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AVX Corporation
CAP NIOB OXI 680UF 20% 2.5V 2917
详细描述：Niobium Oxide Capacitor 2917 (7343 Metric)
型号：
NOSE687M002R0060
仓库库存编号：
478-3229-2-ND
别名：478-3229-2
规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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AVX Corporation
CAP TANT 1000UF 4V 20% 2924
详细描述：模制 钽电容器 2924（7361 公制） 200 毫欧
型号：
TAJV108M004RNJ
仓库库存编号：
TAJV108M004RNJ-ND
别名：TAJV108M004R
TAJV108M004R-ND
规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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AVX Corporation
CAP TANT 1000UF 6.3V 20% 2924
详细描述：模制 钽电容器 2924（7361 公制） 200 毫欧
型号：
TAJV108M006RNJ
仓库库存编号：
TAJV108M006RNJ-ND
别名：TAJV108M006R
TAJV108M006R-ND
规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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AVX Corporation
CAP TANT 22UF 35V 20% 2917
详细描述：模制 钽电容器 2917（7343 公制） 200 毫欧
型号：
TPSD226M035H0200
仓库库存编号：
TPSD226M035H0200-ND
规格：包装 带卷（TR） ,
含铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 22M OHM 1% 0.06W 0603
详细描述：±1% 0.06W 厚膜 芯片电阻 0603（1608 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB0603FDD22M0
仓库库存编号：
HVCB0603FDD22M0-ND
规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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AVX Corporation
BIDD TANTALUM CHIP
详细描述：模制 钽电容器 1005（2512 公制） 5 欧姆 @ 100kHz
型号：
TAZA105K010CRSZ0000
仓库库存编号：
TAZA105K010CRSZ0000-ND
规格：包装 带卷（TR） ,
库存产品核实请求
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AVX Corporation
BIDD TANTALUM CHIP
详细描述：模制 钽电容器 1005（2512 公制） 5 欧姆 @ 100kHz
型号：
TAZA105K010CRSZ0800
仓库库存编号：
TAZA105K010CRSZ0800-ND
规格：包装 带卷（TR） ,
库存产品核实请求
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AVX Corporation
BIDD TANTALUM CHIP
详细描述：模制 钽电容器 2214（5634 公制） 667 欧姆 @ 100kHz
型号：
TAZF106K015CRSZ0000
仓库库存编号：
TAZF106K015CRSZ0000-ND
规格：包装 带卷（TR） ,
库存产品核实请求
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AVX Corporation
CAP TANT 150UF 16V 10% 2917
详细描述：模制 钽电容器 2917（7343 公制） 125 毫欧
型号：
TPSD157K016A0125
仓库库存编号：
TPSD157K016A0125-ND
规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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AVX Corporation
CAP TANT 150UF 16V 10% 2917
详细描述：模制 钽电容器 2917（7343 公制） 125 毫欧
型号：
TPSD157K016H0125
仓库库存编号：
TPSD157K016H0125-ND
规格：包装 带卷（TR） ,
含铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 2G OHM 5% 1/5W 0805
详细描述：±5% 0.2W，1/5W 厚膜 芯片电阻 0805（2012 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB0805JDD2G00
仓库库存编号：
HVCB0805JDD2G00-ND
规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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AVX Corporation
CAP TANT 1000UF 2.5V 10% 2917
详细描述：模制 钽电容器 2917（7343 公制） 400 毫欧
型号：
TAJE108K002RNJ
仓库库存编号：
TAJE108K002RNJ-ND
别名：TAJE108K002R
TAJE108K002R-ND
规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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AVX Corporation
CAP TANT 22UF 50V 10% 2924
详细描述：模制 钽电容器 2924（7361 公制） 600 毫欧
型号：
TAJV226K050H
仓库库存编号：
TAJV226K050H-ND
别名：TAJV226K050HNJ
规格：包装 带卷（TR） ,
含铅
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AVX Corporation
CAP TANT 68UF 25V 20% RADIAL
详细描述：保形涂层 钽电容器 径向 800 毫欧
型号：
TAP686M025BRW
仓库库存编号：
TAP686M025BRW-ND
规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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AVX Corporation
CAP TANT 68UF 25V 20% RADIAL
详细描述：保形涂层 钽电容器 径向 800 毫欧
型号：
TAP686M025CRW
仓库库存编号：
TAP686M025CRW-ND
规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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AVX Corporation
CAP TANT 220UF 10V 10% RADIAL
详细描述：保形涂层 钽电容器 径向 600 毫欧
型号：
TAP227K010CRW
仓库库存编号：
TAP227K010CRW-ND
规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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STMicroelectronics
IC AMP AUD CLASS D BTL PWRSSO36
详细描述：Amplifier IC 1-Channel (Mono) Class D PowerSSO-36
型号：
TDA7498MVTR
仓库库存编号：
497-11062-2-ND
别名：497-11062-2
规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 100M OHM 1% 1/5W 0805
详细描述：±1% 0.2W，1/5W 厚膜 芯片电阻 0805（2012 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB0805FDD100M
仓库库存编号：
HVCB0805FDD100M-ND
规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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