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AVX Corporation
CAP TANT 1500UF 4V 10% 2824
详细描述：保形涂层 钽电容器 2824（7260 公制） 120 毫欧
型号：
F750G158KRC
仓库库存编号：
F750G158KRCAVX-ND
别名：F750G158KRCAVX
规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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AVX Corporation
CAP TANT 1000UF 6.3V 10% 2824
详细描述：保形涂层 钽电容器 2824（7260 公制） 120 毫欧
型号：
F750J108KRC
仓库库存编号：
F750J108KRCAVX-ND
别名：F750J108KRCAVX
规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 430M OHM 2% 1/3W 1206
详细描述：±2% 0.333W，1/3W 厚膜 芯片电阻 1206（3216 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB1206GKC430M
仓库库存编号：
HVCB1206GKC430M-ND
别名：HVCB 1206 T2 430M 2% I
HVCB1206T2430M2%I
HVCB1206T2430M2%I-ND
HVCB1206T2430MGI
HVCB1206T2430MGI-ND
规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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AVX Corporation
CAP TANT 470UF 6.3V 20% 2917
详细描述：模制 钽电容器 2917（7343 公制） 400 毫欧
型号：
TAJE477M006RNJ
仓库库存编号：
TAJE477M006RNJ-ND
别名：TAJE477M006R
TAJE477M006R-ND
规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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Wurth Electronics Inc.
FIXED IND 220NH 21A 1.1 MOHM SMD
详细描述：屏蔽 绕线 电感器 1.1 毫欧 非标准
型号：
744311022
仓库库存编号：
732-3861-2-ND
别名：732-3861-2
规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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Wurth Electronics Inc.
FIXED IND 240NH 20A 1 MOHM SMD
详细描述：屏蔽 绕线 电感器 1 毫欧 非标准
型号：
744314024
仓库库存编号：
732-1154-2-ND
别名：732-1154-2
规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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AVX Corporation
CAP TANT 4.7UF 50V 10% 2917
详细描述：模制 钽电容器 2917（7343 公制） 500 毫欧
型号：
TPSD475K050H0500
仓库库存编号：
TPSD475K050H0500-ND
规格：包装 带卷（TR） ,
含铅
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AVX Corporation
CAP TANT 4.7UF 50V 10% 2917
详细描述：模制 钽电容器 2917（7343 公制） 700 毫欧
型号：
TPSD475K050H0700
仓库库存编号：
TPSD475K050H0700-ND
规格：包装 带卷（TR） ,
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 550V 20A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 192W（Tc） D2PAK
型号：
STB20NM50T4
仓库库存编号：
497-5312-2-ND
别名：497-5312-2
Q1966796
STB20NM50T4-ND
规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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AVX Corporation
CAP TANT 100UF 10% 20V 2917
详细描述：模制 钽电容器 2917（7343 公制） 400 毫欧 @ 100kHz
型号：
TAJE107K020HNJ
仓库库存编号：
TAJE107K020HNJ-ND
规格：包装 带卷（TR） ,
含铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 50M OHM 1% 1/3W 1206
详细描述：±1% 0.333W，1/3W 厚膜 芯片电阻 1206（3216 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB1206FKC50M0
仓库库存编号：
HVCB1206FKC50M0-ND
规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 1M OHM 1% 1/3W 1206
详细描述：±1% 0.333W，1/3W 厚膜 芯片电阻 1206（3216 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB1206FKE1M00
仓库库存编号：
HVCB1206FKE1M00-ND
规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 220M OHM 1% 0.06W 0603
详细描述：±1% 0.06W 厚膜 芯片电阻 0603（1608 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB0603FTC220M
仓库库存编号：
HVCB0603FTC220M-ND
规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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AVX Corporation
CAP NIOB OXI 220UF 20% 6.3V 2917
详细描述：Niobium Oxide Capacitor 2917 (7343 Metric)
型号：
NOSE227M006R0080
仓库库存编号：
478-3250-2-ND
别名：478-3250-2
规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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AVX Corporation
CAP TANT 47UF 35V 20% RADIAL
详细描述：保形涂层 钽电容器 径向 800 毫欧
型号：
TAP476M035CRW
仓库库存编号：
TAP476M035CRW-ND
规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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AVX Corporation
CAP NIOB OXI 220UF 20% 6.3V 2917
详细描述：Niobium Oxide Capacitor 2917 (7343 Metric)
型号：
NOSE227M006R0100
仓库库存编号：
NOSE227M006R0100-ND
规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 1G OHM 5% 1/5W 0805
详细描述：±5% 0.2W，1/5W 厚膜 芯片电阻 0805（2012 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB0805JKL1G00
仓库库存编号：
HVCB0805JKL1G00-ND
别名：HVCB 0805 T0 1G 5% R
HVCB0805T01G5%R
HVCB0805T01G5%R-ND
HVCB0805T01GJR
HVCB0805T01GJR-ND
规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 300M OHM 1% 0.06W 0603
详细描述：±1% 0.06W 厚膜 芯片电阻 0603（1608 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB0603FKD300M
仓库库存编号：
HVCB0603FKD300M-ND
规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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AVX Corporation
CAP TANT 33UF 35V 10% 2917
详细描述：模制 钽电容器 2917（7343 公制） 590 毫欧
型号：
TRJE336K035RRJ
仓库库存编号：
TRJE336K035RRJ-ND
规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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AVX Corporation
CAP TANT 220UF 6.3V 20% RADIAL
详细描述：保形涂层 钽电容器 径向 900 毫欧
型号：
TAP227M006CRW
仓库库存编号：
TAP227M006CRW-ND
规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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AVX Corporation
CAP TANT 22UF 35V 20% 2917
详细描述：模制 钽电容器 2917（7343 公制） 300 毫欧
型号：
TPSD226M035Y0300
仓库库存编号：
TPSD226M035Y0300-ND
规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 500M OHM 1% 1/5W 0805
详细描述：±1% 0.2W，1/5W 厚膜 芯片电阻 0805（2012 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB0805FKC500M
仓库库存编号：
HVCB0805FKC500M-ND
规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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AVX Corporation
CAP TANT 150UF 10V 20% RADIAL
详细描述：保形涂层 钽电容器 径向 800 毫欧
型号：
TAP157M010CRW
仓库库存编号：
TAP157M010CRW-ND
规格：包装 带卷（TR） ,
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AVX Corporation
CAP TANT 220UF 6.3V 10% RADIAL
详细描述：保形涂层 钽电容器 径向 900 毫欧
型号：
TAP227K006CRW
仓库库存编号：
TAP227K006CRW-ND
规格：包装 带卷（TR） ,
无铅
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AVX Corporation
CAP TANT 150UF 16V 20% 2917
详细描述：模制 钽电容器 2917（7343 公制） 100 毫欧
型号：
TPSE157M016R0100
仓库库存编号：
TPSE157M016R0100-ND
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