规格:成分 薄膜,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Thin Film
RES SMD 46.4KOHM 0.02% 1/4W 0805
详细描述:±0.02% 0.25W,1/4W 薄膜 芯片电阻 0805(2012 公制) 耐腐蚀,耐燃,防潮,安全 薄膜
型号:
PLTT0805Z4642QGT5
仓库库存编号:
PLTT0805Z4642QGT5-ND
规格:成分 薄膜,
无铅
搜索
Vishay Thin Film
RES SMD 47K OHM 0.02% 1/4W 0805
详细描述:±0.02% 0.25W,1/4W 薄膜 芯片电阻 0805(2012 公制) 耐腐蚀,耐燃,防潮,安全 薄膜
型号:
PLTT0805Z4702QGT5
仓库库存编号:
PLTT0805Z4702QGT5-ND
规格:成分 薄膜,
无铅
搜索
Vishay Thin Film
RES SMD 47.5KOHM 0.02% 1/4W 0805
详细描述:±0.02% 0.25W,1/4W 薄膜 芯片电阻 0805(2012 公制) 耐腐蚀,耐燃,防潮,安全 薄膜
型号:
PLTT0805Z4752QGT5
仓库库存编号:
PLTT0805Z4752QGT5-ND
规格:成分 薄膜,
无铅
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Vishay Thin Film
RES SMD 48.1KOHM 0.02% 1/4W 0805
详细描述:±0.02% 0.25W,1/4W 薄膜 芯片电阻 0805(2012 公制) 耐腐蚀,耐燃,防潮,安全 薄膜
型号:
PLTT0805Z4812QGT5
仓库库存编号:
PLTT0805Z4812QGT5-ND
规格:成分 薄膜,
无铅
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Vishay Thin Film
RES SMD 48.7KOHM 0.02% 1/4W 0805
详细描述:±0.02% 0.25W,1/4W 薄膜 芯片电阻 0805(2012 公制) 耐腐蚀,耐燃,防潮,安全 薄膜
型号:
PLTT0805Z4872QGT5
仓库库存编号:
PLTT0805Z4872QGT5-ND
规格:成分 薄膜,
无铅
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Vishay Thin Film
RES SMD 49.3KOHM 0.02% 1/4W 0805
详细描述:±0.02% 0.25W,1/4W 薄膜 芯片电阻 0805(2012 公制) 耐腐蚀,耐燃,防潮,安全 薄膜
型号:
PLTT0805Z4932QGT5
仓库库存编号:
PLTT0805Z4932QGT5-ND
规格:成分 薄膜,
无铅
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Vishay Thin Film
RES SMD 49.9KOHM 0.02% 1/4W 0805
详细描述:±0.02% 0.25W,1/4W 薄膜 芯片电阻 0805(2012 公制) 耐腐蚀,耐燃,防潮,安全 薄膜
型号:
PLTT0805Z4992QGT5
仓库库存编号:
PLTT0805Z4992QGT5-ND
规格:成分 薄膜,
无铅
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Vishay Dale
RES SMD 1.58KOHM 0.1% 1/10W 0603
详细描述:±0.1% 0.1W,1/10W 薄膜 芯片电阻 0603(1608 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342E12B1B58RBS
仓库库存编号:
M55342E12B1B58RBS-ND
别名:M55342E12B1B58RBS-MIL
规格:成分 薄膜,
含铅
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Susumu
RES SMD 680 OHM 0.01% 1/16W 0603
详细描述:±0.01% 0.063W,1/16W 薄膜 芯片电阻 0603(1608 公制) 薄膜
型号:
URG1608L-681-L-T05
仓库库存编号:
URG1608L-681-L-T05-ND
规格:成分 薄膜,
无铅
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Susumu
RES SMD 6.8KOHM 0.01% 1/16W 0603
详细描述:±0.01% 0.063W,1/16W 薄膜 芯片电阻 0603(1608 公制) 薄膜
型号:
URG1608L-682-L-T05
仓库库存编号:
URG1608L-682-L-T05-ND
规格:成分 薄膜,
无铅
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Vishay Sfernice
RES SMD 100 OHM 0.1% 1/10W 1206
详细描述:±0.1% 0.1W,1/10W 薄膜 芯片电阻 1206(3216 公制) 抗硫化 薄膜
型号:
PHT1206Y1000BGTB
仓库库存编号:
PHTF-100CT-ND
别名:PHTF-100CT
规格:成分 薄膜,
无铅
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Vishay Sfernice
RES SMD 100K OHM 0.1% 1/10W 1206
详细描述:±0.1% 0.1W,1/10W 薄膜 芯片电阻 1206(3216 公制) 抗硫化 薄膜
型号:
PHT1206Y1003BGTB
仓库库存编号:
PHTF-100KCT-ND
别名:PHTF-100KCT
规格:成分 薄膜,
无铅
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Vishay Sfernice
RES SMD 1M OHM 0.1% 1/10W 1206
详细描述:±0.1% 0.1W,1/10W 薄膜 芯片电阻 1206(3216 公制) 抗硫化 薄膜
型号:
PHT1206Y1004BGTB
仓库库存编号:
PHTF-1.0MCT-ND
别名:PHTF-1.0MCT
规格:成分 薄膜,
无铅
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Vishay Dale
RES SMD 100 OHM 0.1% 0.8W 2010
详细描述:±0.1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342E08B100ARWS
仓库库存编号:
M55342E08B100ARWS-ND
别名:M55342E08B100ARWS-MIL
规格:成分 薄膜,
含铅
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Vishay Dale
RES SMD 100K OHM 0.1% 0.8W 2010
详细描述:±0.1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342E08B100BRWS
仓库库存编号:
M55342E08B100BRWS-ND
别名:M55342E08B100BRWS-MIL
规格:成分 薄膜,
含铅
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Vishay Dale
RES SMD 100 OHM 1% 0.8W 2010
详细描述:±1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342E08B100DRWS
仓库库存编号:
M55342E08B100DRWS-ND
别名:M55342E08B100DRWS-MIL
规格:成分 薄膜,
含铅
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Vishay Dale
RES SMD 10K OHM 0.1% 0.8W 2010
详细描述:±0.1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342E08B10B0RWS
仓库库存编号:
M55342E08B10B0RWS-ND
别名:M55342E08B10B0RWS-MIL
规格:成分 薄膜,
含铅
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Vishay Dale
RES SMD 10K OHM 1% 0.8W 2010
详细描述:±1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342E08B10E0RWS
仓库库存编号:
M55342E08B10E0RWS-ND
别名:M55342E08B10E0RWS-MIL
规格:成分 薄膜,
含铅
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Vishay Dale
RES SMD 118 OHM 0.1% 0.8W 2010
详细描述:±0.1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342E08B118ARWS
仓库库存编号:
M55342E08B118ARWS-ND
别名:M55342E08B118ARWS-MIL
规格:成分 薄膜,
含铅
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Vishay Dale
RES SMD 121 OHM 0.1% 0.8W 2010
详细描述:±0.1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342E08B121ARWS
仓库库存编号:
M55342E08B121ARWS-ND
别名:M55342E08B121ARWS-MIL
规格:成分 薄膜,
含铅
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Vishay Dale
RES SMD 126 OHM 0.1% 0.8W 2010
详细描述:±0.1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342E08B126ARWS
仓库库存编号:
M55342E08B126ARWS-ND
别名:M55342E08B126ARWS-MIL
规格:成分 薄膜,
含铅
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Vishay Dale
RES SMD 12K OHM 0.1% 0.8W 2010
详细描述:±0.1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342E08B12B0RWS
仓库库存编号:
M55342E08B12B0RWS-ND
别名:M55342E08B12B0RWS-MIL
规格:成分 薄膜,
含铅
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Vishay Dale
RES SMD 12.4K OHM 1% 0.8W 2010
详细描述:±1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342E08B12E4RWS
仓库库存编号:
M55342E08B12E4RWS-ND
别名:M55342E08B12E4RWS-MIL
规格:成分 薄膜,
含铅
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Vishay Dale
RES SMD 140 OHM 0.1% 0.8W 2010
详细描述:±0.1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342E08B140ARWS
仓库库存编号:
M55342E08B140ARWS-ND
别名:M55342E08B140ARWS-MIL
规格:成分 薄膜,
含铅
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Vishay Dale
RES SMD 149K OHM 0.1% 0.8W 2010
详细描述:±0.1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010(5025 公制) 军用,非电感 薄膜
型号:
M55342E08B149BRWS
仓库库存编号:
M55342E08B149BRWS-ND
别名:M55342E08B149BRWS-MIL
规格:成分 薄膜,
含铅
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