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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI024N06N3GHKSA1
仓库库存编号:
IPI024N06N3GHKSA1-ND
别名:IPI024N06N3 G
IPI024N06N3 G-ND
SP000451486
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 80V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI028N08N3GHKSA1
仓库库存编号:
IPI028N08N3GHKSA1-ND
别名:IPI028N08N3 G
IPI028N08N3 G-ND
SP000395160
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI030N10N3GHKSA1
仓库库存编号:
IPI030N10N3GHKSA1-ND
别名:IPI030N10N3 G
IPI030N10N3 G-ND
SP000469884
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 188W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI032N06N3 G
仓库库存编号:
IPI032N06N3 G-ND
别名:SP000451490
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 90A(Tc) 167W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI037N06L3GHKSA1
仓库库存编号:
IPI037N06L3GHKSA1-ND
别名:IPI037N06L3 G
IPI037N06L3 G-ND
SP000397910
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 80V 100A(Tc) 214W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI037N08N3GHKSA1
仓库库存编号:
IPI037N08N3GHKSA1-ND
别名:IPI037N08N3 G
IPI037N08N3 G-ND
SP000454278
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 90A(Tc) 188W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI040N06N3GHKSA1
仓库库存编号:
IPI040N06N3GHKSA1-ND
别名:IPI040N06N3 G
IPI040N06N3 G-ND
SP000398038
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI04CN10N G
仓库库存编号:
IPI04CN10N G-ND
别名:SP000398084
SP000680660
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 80V 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI057N08N3 G
仓库库存编号:
IPI057N08N3 G-ND
别名:SP000395182
SP000680662
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI05CN10N G
仓库库存编号:
IPI05CN10N G-ND
别名:SP000208922
SP000680664
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 100A(Tc) 214W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI06CN10N G
仓库库存编号:
IPI06CN10N G-ND
别名:SP000208924
SP000680668
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI070N06N G
仓库库存编号:
IPI070N06N G-ND
别名:SP000208612
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 80V 80A(Tc) 136W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI070N08N3 G
仓库库存编号:
IPI070N08N3 G-ND
别名:SP000454290
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 150V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI075N15N3GHKSA1
仓库库存编号:
IPI075N15N3GHKSA1-ND
别名:IPI075N15N3 G
IPI075N15N3 G-ND
SP000414712
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 95A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 95A(Tc) 167W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI08CN10N G
仓库库存编号:
IPI08CN10N G-ND
别名:SP000208926
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 95A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 85V 95A(Tc) 167W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI08CNE8N G
仓库库存编号:
IPI08CNE8N G-ND
别名:SP000208927
SP000680708
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 100A(Tc) 214W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI100N04S303AKSA1
仓库库存编号:
IPI100N04S303AKSA1-ND
别名:IPI100N04S3-03
IPI100N04S3-03-ND
SP000261223
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 70A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 80V 70A(Tc) 100W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI100N08N3GHKSA1
仓库库存编号:
IPI100N08N3GHKSA1-ND
别名:IPI100N08N3 G
IPI100N08N3 G-ND
SP000474192
SP000680710
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 100A TO262-3
详细描述:通孔 P 沟道 30V 100A(Tc) 200W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI100P03P3L-04
仓库库存编号:
IPI100P03P3L-04-ND
别名:SP000311117
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 67A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 67A(Tc) 125W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI12CN10N G
仓库库存编号:
IPI12CN10N G-ND
别名:SP000208928
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 67A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 85V 67A(Tc) 125W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI12CNE8N G
仓库库存编号:
IPI12CNE8N G-ND
别名:SP000208929
SP000680714
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 45A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 80V 45A(Tc) 79W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI139N08N3GHKSA1
仓库库存编号:
IPI139N08N3GHKSA1-ND
别名:IPI139N08N3 G
IPI139N08N3 G-ND
SP000457714
SP000680716
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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MOSFET N-CH 100V 53A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 53A(Tc) 100W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI16CN10N G
仓库库存编号:
IPI16CN10N G-ND
别名:SP000208930
规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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MOSFET N-CH 85V 53A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 85V 53A(Tc) 100W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI16CNE8N G
仓库库存编号:
IPI16CNE8N G-ND
别名:SP000208931
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MOSFET N-CH 150V 50A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 150V 50A(Tc) 150W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI200N15N3 G
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