规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 352A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9W（Ta），200W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS5C404NLTT3G
仓库库存编号：
NTMFS5C404NLTT3G-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 53A（Ta），378A（Tc） 3.9W（Ta），200W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C404NWFAFT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C404NWFAFT3G-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 60V TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 70A（Ta） 130W（Tc） TO-3P
型号：
2SK3711
仓库库存编号：
2SK3711-ND
别名：2SK3711 DK
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 46A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 46A（Ta），302A（Tc） 3.2W（Ta）, 139W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS5C410NLT3G
仓库库存编号：
NTMFS5C410NLT3G-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 86W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
IXTY2N100P
仓库库存编号：
IXTY2N100P-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 227W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP22N60EL-GE3
仓库库存编号：
SIHP22N60EL-GE3-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 40A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Ta），287A（Tc） 3.9W（Ta），200W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C604NLWFT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C604NLWFT3G-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 525V 12A TO-220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK12A53D(STA4,Q,M)
仓库库存编号：
TK12A53D(STA4QM)-ND
别名：TK12A53D(STA4QM)
TK12A53DSTA4QM
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 550V 11A TO-220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK11A55D(STA4,Q,M)
仓库库存编号：
TK11A55D(STA4QM)-ND
别名：TK11A55D(STA4QM)
TK11A55DSTA4QM
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
UNIFET 250V
详细描述：通孔 N 沟道 51A（Tc） 38W（Tc） TO-220F
型号：
FDPF51N25RDTU
仓库库存编号：
FDPF51N25RDTU-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 49A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 49A（Ta），352A（Tc） 3.9W（Ta），200W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C404NLT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C404NLT1G-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 53A（Ta），378A（Tc） 3.9W（Ta），200W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C404NAFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C404NAFT1G-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 35W（Tc） TO-220 整包
型号：
SIHA22N60EL-E3
仓库库存编号：
SIHA22N60EL-E3-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 200A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Tc） 375W（Tc） TO-263-7
型号：
SQM200N04-1M1L_GE3
仓库库存编号：
SQM200N04-1M1L_GE3-ND
别名：SQM200N04-1M1L-GE3
SQM200N04-1M1L-GE3-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 352A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9W（Ta），200W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS5C404NLTWFT3G
仓库库存编号：
NTMFS5C404NLTWFT3G-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 150V 15A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 15A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP15P15T
仓库库存编号：
IXTP15P15T-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 26A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 26A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP26P10T
仓库库存编号：
IXTP26P10T-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 50V 48A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 48A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP48P05T
仓库库存编号：
IXTP48P05T-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 80V D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），105A（Tc） 2.1W（Ta），333W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
AOB482L
仓库库存编号：
785-1214-1-ND
别名：785-1214-1
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 227W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SIHB22N60ET1-GE3
仓库库存编号：
SIHB22N60ET1-GE3-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 8A TO-251
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） TO-251
型号：
IXTU08N100P
仓库库存编号：
IXTU08N100P-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 1A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
IXTY1N120P
仓库库存编号：
IXTY1N120P-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 800mA（Tc） 42W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
IXTY08N100P
仓库库存编号：
IXTY08N100P-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 2A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 86W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP2N100P
仓库库存编号：
IXTP2N100P-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 8A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 180W（Tc） TO-220AB
型号：
IXFP8N50P3
仓库库存编号：
IXFP8N50P3-ND
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