规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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IXYS
MOSFET N-CH 20V 27A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 27A（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA27N20T
仓库库存编号：
IXTA27N20T-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 38A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA38N15T
仓库库存编号：
IXTA38N15T-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 3.5A
详细描述：通孔 N 沟道 3.5A（Tc） 2W（Ta），35W（Tc） TO-220F-3FS
型号：
BFL4026-1E
仓库库存编号：
BFL4026-1E-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 500V 29A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 357W（Tc） TO-262
型号：
AOW29S50
仓库库存编号：
785-1427-5-ND
别名：785-1427-5
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 55V 110A TO-263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 230W（Tc） TO-263-7（IXTA..7）
型号：
IXTA110N055T7
仓库库存编号：
IXTA110N055T7-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 98A TO-263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 98A（Tc） TO-263-7（IXTA..7）
型号：
IXTA98N075T7
仓库库存编号：
IXTA98N075T7-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 1.6A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.6A（Tc） 100W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA1R6N100D2
仓库库存编号：
IXTA1R6N100D2-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 1.6A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.6A（Tc） 100W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA1R6N50D2
仓库库存编号：
IXTA1R6N50D2-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 60W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPU80R600P7AKMA1
仓库库存编号：
IPU80R600P7AKMA1-ND
别名：SP001644622
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 60W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPS80R600P7AKMA1
仓库库存编号：
IPS80R600P7AKMA1-ND
别名：SP001644630
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
PT3 75V
详细描述：通孔 N 沟道 164A（Tc） 268W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP047N08_F102
仓库库存编号：
FDP047N08_F102-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 208W（Tc） TO-247AC
型号：
SIHG14N50D-GE3
仓库库存编号：
SIHG14N50D-GE3-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 104A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.8W（Ta）, 165W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS6B05NT1G
仓库库存编号：
NVMFS6B05NT1G-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 17A 5DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.8W（Ta）, 165W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS6B05NLT1G
仓库库存编号：
NVMFS6B05NLT1G-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 37A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 37A（Ta），193A（Tc） 3.13W（Ta）, 83W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS4H02NT1G
仓库库存编号：
NTMFS4H02NT1G-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 27W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPA80R750P7XKSA1
仓库库存编号：
IPA80R750P7XKSA1-ND
别名：SP001644602
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 51W（Tc） PG-TO220-3
型号：
IPP80R750P7XKSA1
仓库库存编号：
IPP80R750P7XKSA1-ND
别名：SP001644608
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 48A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 48A（Ta），315A（Tc） 3.8W（Ta）, 167W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C410NLT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C410NLT1G-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Ta）, 330A（Tc） 3.8W（Ta）, 167W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C410NLAFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C410NLAFT1G-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 32A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Tc） 200W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA32N20T
仓库库存编号：
IXTA32N20T-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Tc） 227W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
SIHB23N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHB23N60E-GE3-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 120V POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 13.5A（Ta），102A（Tc） 3.3W（Ta），187W（Tc） Power56
型号：
FDMS86202ET120
仓库库存编号：
FDMS86202ET120CT-ND
别名：FDMS86202ET120CT
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7880ADP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7880ADP-T1-GE3-ND
规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 52W（Tc） TO-220F
型号：
GP2M010A060F
仓库库存编号：
1560-1206-5-ND
别名：1560-1206-1
1560-1206-1-ND
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3PF3
详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Ta） 3W（Ta），50W（Tc） TO-3P（L）
型号：
NDUL03N150CG
仓库库存编号：
NDUL03N150CGOS-ND
别名：NDUL03N150CGOS
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